Академику Сигову Александру Сергеевичу - 75 лет!

31.05.2020

Юбилей академика Сигова Александра Сергеевича

Академик
Сигов Александр Сергеевич

(jpg, 25 Kб) 

Глубокоуважаемый Александр Сергеевич!

Президиум РАН поздравляет Вас с юбилеем — 75-летием!

Высоко оценено развитие элементной базы информационных систем на основе Ваших разработок, создание Вами нового направления — активные диэлектрики для электронно-компонентной базы. Получило признание создание функциональных устройств нано-, микроэлектроники и радиофотоники — на основе Ваших работ в области физики твердого тела, твердотельной электроники и физического материаловедения. Не случайно, поэтому, Вас включили в такие разные организации высокого уровня как Научный совет при Совете Безопасности РФ, Бюро Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, Комиссия ЮНЕСКО по нанонауке и нанотехнологии (где Вы — ученый секретарь) и др. Вами разработаны и проектируются радиационностойкие высокоскоростные запоминающие устройства (ЗУ), микроэлектромеханические системы, впервые в России изготовлены сегнетоэлектрические ЗУ и наногетероструктуры для устройства фотониники. Почти полвека Вы отдали «МИРЭА — Российский технологический университет», одному из лидеров подготовки высококвалифицированных специалистов для наукоемких отраслей науки и техники.

Желаем Вам, Александр Сергеевич, дальнейших больших достижений на поприще научной и педагогической деятельности! Желаем Вам здоровья, счастья, только радостей от Ваших родных, близких и коллег!

Президент РАН
академик РАН А.М. Сергеев


Александр Сергеевич Сигов родился 31 мая 1945 года в г. Сталино (ныне — Донецк).

В 1968 году окончил физический факультет Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова по кафедре квантовой теории, а в 1971 году — аспирантуру. С 1972 года — в МИРЭА (ныне ФГБОУ ВО «МИРЭА — Российский технологический университет»). В 1985-1998 гг. — декан факультета электроники и оптоэлектронной техники, в 1998-2013 гг. — ректор, с 2013 года — президент РТУ МИРЭА.

С 1989 года — зав. кафедрой физики конденсированного состояния (в настоящее время — наноэлектроники) РТУ МИРЭА.

Член-корреспондент РАН c 2006 года, академик РАН c 2011 года — Отделение нанотехнологий и информационных технологий.

Академик А.С. Сигов — советский и российский физик, специалист в области физики твердого тела, твердотельной электроники и физического материаловедения, элементной базы информационных систем. Сфера его научной деятельности — исследование физических свойств систем с пониженной размерностью или/и структурным беспорядком и создание на их основе функциональных устройств нано-, микроэлектроники и радиофотоники.

В 1972 году защитил кандидатскую диссертацию «Статические и динамические свойства доменных границ с поперечными связями в тонких ферромагнитных пленках», в 1985 году защитил докторскую диссертацию «Влияние дефектов на физические свойства кристаллов вблизи структурных и магнитных фазовых переходов».

Основные научные результаты:

- создано новое направление — активные диэлектрики для электронно-компонентной базы, в рамках которого разработаны и проектируются радиационностойкие высокоскоростные запоминающие устройства (ЗУ), микроэлектромеханические, системы, впервые в России изготовлены сегнетоэлектрические ЗУ и наногетероструктуры для устройства фотониники;

- исследован и внедрен в промышленность новый класс диэлектрических материалов для формирования диэлектрических слоев многоуровневой разводки интегральных схем;

- выполнены фундаментальные исследования свойств гетероструктур на основе пленок ферроиков, роли дефектов разных типов и процессов самоорганизации в упорядоченных структурах для перспективных устройств наноэлектроники, включая системы с фазовыми превращениями, гигантским магнетосопротивлением, бистабильностью (результаты использованы при создании магнитных накопителей, датчиков магнитного поля, интегральных ЗУ).

Почти полвека А.С. Сигов отдал РТУ МИРЭА — признанному в России и в мире современному образовательному и научно-исследовательскому центру, одному из лидеров в области подготовки высококвалифицированных специалистов для наукоемких отраслей науки и техники: телекоммуникаций, информационных и компьютерных технологий, автоматики, кибернетики, радиотехники и электроники, химии и биотехнологий. Здесь реализована система обучения «вуз — базовая кафедра — базовое предприятие», действует 50 базовых кафедр при НИИ РАН, конструкторских бюро и на высокотехнологичных предприятиях Московского региона. РТУ МИРЭА имеет развитую сеть научно-исследовательских центров, научных лабораторий и студенческих конструкторских бюро.

В годы, когда был ректором университета, пришлось много заниматься зданием: университет был построен в 1970-е годы военными строителями с серьезными отклонениями от проекта, с дефектами и нарушениями — все надо было исправлять. Как говорит А.С. Сигов: хозяйственной деятельности, к сожалению, были посвящены годы, из-за этого многое в научном плане не было сделано; с другой стороны, мы смогли спасти вуз и вывести его на новый виток развития.

Под его руководством защищено 19 кандидатских диссертаций, 12 его учеников стали докторами наук,

А.С. Сигов — автор более 300 научных трудов, 19 монографий и учебников, 37 изобретений. Специалистам известны его монографии, написанные индивидуально или в соавторстве: «Defects and Structural Phase Transitions», «Influence of Single-Ion Anisotropy on the Exchange Bias In «Ferromagnet-Antiferromagnet» System», «Наноэлектроника. Энциклопедия систем жизнеобеспечения», «Многослойные магнитные наноструктуры. Нанонаука и нанотехнологии. Энциклопедия систем жизнеобеспечения», «Theory of Ferromagnetic-Antiferromagnetic Interface Coupling», «Фрустрированные магнитные наноструктуры» и др.

Главный редактор научных журналов «Электроника», «Наноматериалы и наноструктуры», «Российский технологический журнал», зам. главного редактора международных журналов «Integrated Ferroelectrics» и «Ferroelectrics», входит в состав редакционных коллегий и советов журналов: «Известия РАН (серия физическая)», «Микросистемная техника», «Инженерное образование», «Фотоника» и ряда других.

Член Бюро Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН. Член Научного совета при Совете Безопасности РФ, председатель Секции физики сегнетоэлектриков и диэлектриков, член бюро Объединенного Научного совета РАН по физике конденсированных сред, член бюро совета «Научные основы построения вычислительных, телекоммуникационных и локационных систем», член ряда советов Минобрнауки России.

Ученый секретарь Комиссии ЮНЕСКО по нанонауке и нанотехнологии, член Европейского физического общества, член международной ассоциация специалистов в области техники Institute of Electrical and Electronics Engineers, член Института инженерии и технологий (IET), член Института электроинженеров (Англия).

Избран почетным профессором и доктором в ряде отечественных и зарубежных университетов и научных центров.

О его хобби: вдохновитель и организатор Межвузовского литературного форума им. Н.С. Гумилёва «Осиянное Слово», член НП «Национальный союз библиофилов». Из интервью: «Мне это интересно, я всегда этим занимался — собираю старые книги по русской истории, русских поэтов от второй половины XIX века и до наших дней. Интересны издания по русской идеалистической религиозной философии, в которой наши ученые сделали очень много. Это пласт истории, науки, еще не до конца освоенный обществом. Собираю первые издания российских ученых — от Ломоносова до нашего времени. Не представляю цивилизованного специалиста без мира культуры».

Заслуженный деятель науки РФ.

Награжден орденом Почета, орденом «За заслуги перед Отечеством» IV ст., медалями.

Лауреат Государственной премии РФ, премии Правительства РФ в области образования и двух премий Правительства РФ в области науки и техники.

Удостоен нагрудного знака «Почетный работник высшего профессионального образования РФ».

Ему вручены медаль и доплом ЮНЕСКО «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий».

©РАН 2020