http://www.ras.ru/news/shownews.aspx?id=065283e9-c3cf-4206-baea-c06558d3f881&print=1
© 2019 Российская академия наук

В ФИАНе разрабатывают электронику нового поколения

23.11.2011



Российские ученые разработали технологию получения быстродействующей электроники нового поколения на новых физических принципах.

«История твердотельной электроники началась с изобретения транзистора в 1947 году, - рассказал один из разработчиков новой технологии, заведующий лабораторией молекулярно-пучковой эпитаксии ФИАН Игорь Казаков. - С тех пор развитие идет по пути увеличения плотности приборов в интегральной схеме, что достигается уменьшением их размеров. Однако сегодня размеры приборов снизились настолько, что достигли значений в несколько десятков нанометров. А на этом рубеже электрон начинает вести себя как волна, то есть может и огибать препятствие, и просачиваться сквозь него».

Согласно сообщению, такое поведение частиц фактически «отменяет» принципы, на которых работают, например, транзисторы или диоды. В этой связи ученые решили перейти к новым физическим принципам, а именно – к так называемому резонансному туннелированию, которое обеспечивает просачивание через преграду электронов только с определенной энергией.

Именно на этом направлении добились успеха разработчики новой технологии - сотрудники научно-образовательного центра «Квантовые приборы и нанотехнологии» ФИАН-МИЭТ под руководством академика Юрия Копаева и члена-корреспондента РАН Александра Горбацевича. Они сумели добиться трехмерной интеграции приборов, работающих на классических физических принципах, - например, транзисторов и диодов, - с приборами, построенными уже на принципах квантовых. В результате им удалось добиться быстродействия, сравнимого с тем, что дают сверхпроводящие устройства.

Таким образом, отмечают в ФИАНе, отечественные разработки имеют шанс захватить лидирующие позиции в мире при создании нового поколения электронных приборов.

По материалам ФИАН