45 нанометров – новый рекорд плотности микросхем от Intel

02.02.2006

Серийно производить чипы по новой технологии Intel намеревается во второй половине 2007 года

Корпорация Intel изготовила первый в мире чип статической оперативной памяти (SRAM) с 1 миллиардом транзисторов и первый — по техпроцессу 0,045 микрона, то есть, с расстоянием между элементами схемы 45 нанометров.

"Это означает, что мы можем упаковать в два раза больше транзисторов на одной схеме, которая будет требовать меньше энергии", — объяснил ведущий инженер корпорации Марк Бор.

По его словам, новый чип в лишний раз подтверждает закон, сформулированный соучредителем Intel Гордоном Муром, который гласит, что количество транзисторов на кристалле удваивается каждые 18 месяцев.

Серийно производить чипы по новой технологии, используя кремниевые пластины диаметром 300 мм, Intel намеревается во второй половине 2007 года. Эта матрица была создана в Орегонской лаборатории D1D. Также производить 45-нм чипы могут: фабрика Fab 32 в Аризоне и Fab 28 в Израиле.

Ранее мы уже упоминали о том, что Intel планирует выпуск 45-нм чипов. По плану, очередной барьер - 30 нм.

Источник: Nanotechnology News Network

Подразделы

Объявления

©РАН 2020