Академику Латышеву Александру Васильевичу - 60 лет!

04.01.2019

Юбилей академика Латышева Александра Васильевича

Академик
Латышев Александр Васильевич

 (jpg, 34 Kб)

Александр Васильевич Латышев родился 4 января 1959 года в г. Булаево Северо-Казахстанской области.

В 1981 году окончил Новосибирский госуниверситет по специальности «физика». Далее — в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО АН СССР (г. Новосибирск): стажер–исследователь, с 1998 года — зав. лаборатории нанодиагностики и нанолитографии, с 2007 года — заместитель директора по научным вопросам. С 2013 года — директор Института.

Одновременно — зав.кафедрой Новосибирского госуниверситета.

Член-корреспондент РАН c 2008 года, академик РАН c 2016 года — Отделение нанотехнологий и информационных технологий.

Специалист в области нанотехнологий и диагностики низкоразмерных систем.

Академик А.В. Латышев — российский учёный в области синтеза пленочных и наноразмерных полупроводниковых структур из молекулярных пучков, полупроводниковых нанотехнологий для нового поколения элементной базы наноэлектроники и структурной диагностики низкоразмерных систем, нанофотоники, диагностики атомного разрешения.

Наиболее значительным результатом его работ явилось создание уникальной системы сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии для in situ характеризации атомных процессов при молекулярно-лучевой эпитаксии, твердофазных реакциях и взаимодействии газов с поверхностью монокристаллического кремния. Им был выполнен цикл пионерских работ по изучению структурных перестроек на поверхностях кремния, которые внесли принципиально новое понимание в физику формирования субмонослойных покрытий. Впервые был теоретически обоснован и экспериментально открыт эффект электромиграции адсорбированных атомов кремния, который вызывает перераспределение элементарных атомных ступеней на поверхности кремния. Впервые установлено влияние поверхностных фазовых переходов на кластерирование моноатомных ступеней на поверхности кремния, установлена структура высокотемпературной поверхности кремния, обнаружено аномальное движение ступеней при сверхструктурном переходе. Полученные результаты использованы для разработки и совершенствования технологии молекулярно-лучевой эпитаксии и дают пути создания новых приборов полупроводниковой наноэлектроники на основе обнаруженных эффектов самоорганизации на поверхности кремния.

Основные научные труды А.В. Латышева связаны c изучением механизмов атомных процессов на поверхности и границах раздела при формировании полупроводниковых систем пониженной размерности. Под его руководством осуществляется комплексная метрологическая, диагностическая и технологическая поддержка многочисленных исследования в области нанотехнологий методами высокоразрешающей, сканирующей, отражательной электронной микроскопии и других методов на базе центра коллективного пользования «Наноструктуры». Полученные результаты обеспечили создание нового поколения полупроводниковых приборов, таких как нанотранзисторы и одноэлектронные транзисторы, фотоприемные устройства на квантовых эффектах, и элементы силовой электроники. А.В. Латышевым с сотрудниками ведутся работы по развитию имеющихся и созданию новых методов нанолитографии, как остросфокусированным электронным и ионными пучками, так и с применением сканирующих зондовых микроскопов.

Основные научные результаты: исследованы атомные механизмы формирования эпитаксиальных гетероструктур в системах пониженной размерности для изучения квантовых эффектов, электронной интерференции и одноэлектронных эффектов, составляющих основу элементной базы наноэлектроники; развиты эффективные методы высокоразрешающей электронной микроскопии, позволившие создать матричные фотоприемники ИК-диапазона для устройств тепловидения, новые изделия СВЧ-электроники, компоненты радиационно-стойкой электроники, покрытия атомной толщины.

А.В. Латышевым с сотрудниками ведутся работы по совершенствованию имеющихся и созданию новых методов нанолитографии, в частности, в руководимой им лаборатории методами высокоразрешающей электронно-лучевой литографии получены структуры с размерами до 10 нм, в которых наблюдались квантовые явления при переносе заряда. Особые успехи были получены в работах по развитию методов нанолитографии с применением сканирующих зондовых микроскопов. Под его руководством в ИФП СО РАН проводятся многочисленные исследования по диагностике полупроводниковых материалов и приборов микро и наноэлектроники методами высокоразрешающей, сканирующей, отражательной электронной микроскопии, а также сканирующей зондовой микроскопии на основе атомно-силового микроскопа.

Под руководством А.В. Латышева выполнялись международные контракты с фирмами Самсунг (Ю.Корея), «Мозаик кристалл» и «Наногейт» (Израиль), «AGM» (Германия) и другими, а также с рядом университетов (Германии, Франции, Японии, США, Болгарии и др.).

А.В. Латышев — соруководитель научной школы «Атомные процессы и технологии создания низкоразмерных полупроводниковых систем», им подготовлены 3 кандидата наук. Является научным руководителем направления «Функциональные свойства наносистем и наноматериалов» в Научно-образовательном комплексе «Наносистемы и современные материалы» при НГУ. Руководитель Научно-образовательного центра «Физика конденсированных сред и физического материаловедения»

Автор и соавтор 246 научных работ, из них 6 монографий и 9 патентов.

Член редколлегий журналов «Surface Science and Nanotechnology», «Наука из первых рук» и «Вестник НГУ» (серия Физика).

А.В. Латышев — член Президиума СО РАН, заместитель председателя Бюро ОУС СО РАН по нанотехнологиям и информационным технологиям, член специализированных диссертационных советов в ИФП СО РАН и НГТУ.

Член приборной комиссии СО РАН, член технического комитета по стандартизации (ТК 441 «Нанотехнологии»), член экспертных советов РФФИ, Министерства образования и науки и ГК «Роснано», член Научно-технического совета при Министерстве социального развития Новосибирской области.

Член Научного совета Международной школы по материаловедению и электронной микроскопии (г. Берлин).

Награжден премией Правительства РФ.

Имел гранты Президента РФ.

Удостоен грамот Президиума РАН и Президиума СО РАН, Министерства образования и науки РФ, дипломов Фонда содействия отечественной науке и грамоты.

  

 

 

Подразделы

Объявления

©РАН 2019