Академику Шабанову Василию Филипповичу - 80 лет!

Президент РАН
академик РАН  А.М. Сергеев

---

Василий Филиппович Шабанов родился 17 мая 1940 года в д. Михайловка Седельского района Омской области.

В 1963 году окончил физико-математический факультет Омского государственного педагогического института по специальности «преподаватель физики и химии». В 1963-1964 гг. — ассистент кафедры физики ОГПИ. С 1964 года — в Институте физики им. Киренского СО РАН: стажер-исследователь, аспирант, младший научный сотрудник, старший научный сотрудник, зав. лабораторией молекулярной спектроскопии, зав. отделом оптики, зам. директора по науке, в 2004-2017 гг. — директор Института. В 1986-2009 гг. — директор Специального конструкторско-технологического бюро «Наука» КНЦ СО РАН. С 1988 года по январь 2020 года — председатель президиума Красноярского научного центра СО АН СССР — РАН, в настоящее время — научный руководитель КНЦ СО РАН.

Профессор кафедры квантовой электроники СФУ, профессор СибГАУ.

Член-корреспондент РАН c 1991 года, академик РАН c 2003 года — Отделение физических наук.

Специалист в области физикохимии оптических материалов.

Академик В.Ф. Шабанов — выдающийся российский физик, крупный организатор науки. Под его руководством проводились исследования оптических характеристик анизотропных сред и создание на их основе оптоэлектронных элементов и устройств. Эти работы способствовали созданию физических основ управления оптическими свойствами фотоннокристаллических структур, интенсивно развивающихся в последние годы. Им разработаны физикохимические основы технологии получения новых материалов с уникальными свойствами при комплексной переработке техногенного сырья.

Научные интересы В.Ф. Шабанова: физико-химические свойства оптических сред; оптика и спектроскопия фотонно-кристаллических структур, молекулярных кристаллов, жидких кристаллов и композитных материалов на их основе, создание и исследование структур с управляемыми спектральными свойствами для устройств опто- и СВЧ–электроники.

В работах В.Ф. Шабанова установлен факт изменения поляризуемости молекул при переходе из свободного состояния в кристаллическое. Развиты количественные методы определения эффективных поляризуемостей и тензоров локального поля, таким образом решена задача, сформулированная еще в классических работах X. Лорентца. На этой основе, с учетом эффектов запаздывания, получены основные уравнения кристаллоптики, что позволяет интерпретировать и проводить расчеты динамических и оптических свойств анизотропных сред, открывает перспективу материалов с заданными свойствами (упругие константы, показатель преломления, нелинейные восприимчивости, интенсивность линий).

В.Ф. Шабановым впервые показано, что потенциальная функция водородной связи в некоторых сегнетоэлектрических кристаллах имеет двухминимумный ассиметричный вид уже в параэлектрической фазе, что объясняет эффект изотопического неизоморфизма. Обнаружен иинтерпретирован эффект нелинейного резонанса колебаний вблизи Тс и выяснена роль нецентральных взаимодействий в динамике кристаллических решеток.

Исследованы одномерные фотоннокристаллические (ФК) структуры, организованные на основе жидких кристаллов, разработан способ управления спектром пропускания и локализацией электромагнитного поля в дефектных модах ФК, выявлено резонансное взаимодействие дефектных мод. Разработан композитный материал с рекордным быстродействием на основе сегнетоэлектрических ЖК и на его основе созданы модуляторы света. Созданы работающие на новых принципах ЖК-индикаторы с использованием композитных материалов, сверхчувствительные приборы для количественного анализа веществ и качества поверхности.

Эти работы способствовали созданию физических основ управления оптическими свойствами фотоннокристаллических структур, интенсивно развивающихся в последние годы.

Им разработаны физикохимические основы технологии получения новых материалов с уникальными свойствами при комплексной переработке техногенного сырья.

Преимуществом разработанного метода получения оптически прозрачных стекломатериалов из отходов промышленности является возможность кристаллизации из аморфного состояния фаз с различными тепловыми коэффициентами расширения не только по величине, но и по знаку. Такие материалы необходимы для создания фотоннокристаллических структур. Использование данных ситаллов в качестве подложек для пленок магнитодиэлектриков позволяет получать (в отличие от подложек из кварца) более мелкодисперсную кристаллическую структуру, что снижает кристаллические шумы при магнитооптическом считывании информации. Разработки защищены патентами России, США и Мексики, реализованы в промышленном масштабе при производстве теплоизоляционных материалов на ГРЭС-2 (г. Зеленогорск).

В.Ф. Шабанов — основатель научной школы по спектроскопии анизотропных сред в России, им подготовлено 7 докторов и 21 кандидат наук.

Автор и соавтор 250 научных работ, пяти монографий, 12 патентов.

Основные научные труды, написанные индивидуально и совместно: «Оптика реальных фотонных кристаллов. Жидкокристаллические дефекты, неоднородности», «Фундаментальные основы комплексной переработки углей КАТЭКа для получения энергии, синтез-газа и новых материалов с заданными свойствами», «Фотонные кристаллы и нанокомпозиты: структурообразование, оптические и диэлектрические свойства», «Спектры пропускания одномерных фотонных кристаллов с жидкокристаллическим дефектообразующим слоем», «Оптические колебательные спектры кристаллов», «Комбинационное рассеяние света в молекулярных кристаллах», «Колебательная спектроскопия несоразмерных кристаллов» и др.

Член редколлегии журналов «Оптика атмосферы и океана», «Журнала Сибирского федерального университета. Серия «Математика и физика», член редколлегии, заместитель главного редактора журнала «Наука из первых рук».

Член Бюро Президиума СО РАН, член Президиума СО РАН, председатель Совета научных центров СО РАН, член бюро Совета директоров РАН, зам. председателя Объединенного ученого совета по физическим наукам СО РАН, член Совета по координации деятельности региональных отделений и региональных научных центров РАН.

Член Научного совета РАН по проблеме «Спектроскопия атомов и молекул».

Директор НОЦ «Институт космических исследований и высоких технологий» совместно с КНЦ СО РАН и СибГАУ. Член ВАК России.

Член Ученых советов Сибирского федерального университета (СФУ) и Сибирского государственного аэрокосмического университета (СибГАУ), , член трех диссертационных советов.

Член Совета ректоров вузов Красноярского края.

Награжден орденом Почета, орденом «За заслуги перед Отечеством» IV ст., медалями «За отвагу на пожаре», «За освоение целинных земель» и др.

Удостоен Благодарности Президента РФ, Почетной грамоты Президента РФ.

Ему вручены Почетные грамоты АН СССР и СО РАН.

Удостоен знака отличия «За заслуги перед городом Красноярском».

Кавалер Национального фонда «Общественное признание».