http://www.ras.ru/news/shownews.aspx?id=4ddcb5db-6aeb-484c-9d5c-5d3a09198bac&print=1
© 2020 Российская академия наук

18 марта 2020 года состоялось очередное заседание президиума Российской академии наук

18.03.2020

Академия отмечает 90-летие Жореса Алфёрова

18 марта 2020 года

состоялось очередное заседание президиума Российской академии наук

(jpg, 79 Kб)

Председательствует на заседании президент РАН академик РАН А.М. Сергеев.

Члены президиума заслушали научное сообщение «К 90-летию академика РАН Ж.И. Алферова».

 (jpg, 115 Kб)

«Жорес Иванович Алфёров. Жизнь и деятельность Нобелевского лауреата». Академик РАН Геннадий Яковлевич Красников, академик-секретарь ОНИТ РАН.

(jpg, 69 Kб)

Жорес Иванович Алфёров родился 15 марта 1930 года в городе Витебске Белорусской ССР. Его родители были убежденными коммунистами и потому свое имя Жорес получил в честь известного французского социалиста, основателя Объединенной социалистической партии Франции Жана Жореса, а старшего брата родители назвали Марксом в честь Карла Маркса. Во время войны семья Алфёровых жила в Свердловской области. Отец, бывший командир кавалерийского полка Красной Армии, работал директором оборонного завода, производящего пороховую целлюлозу.

Старший брат Маркс ушел добровольцем на фронт в 17 лет прямо со студенческой скамьи. Маркс Алфёров воевал командиром взвода и роты под Сталинградом, на Курской дуге, был награжден орденом Красной Звезды и медалью «За отвагу». В октябре 1943 г. он провёл три дня с семьёй в Свердловске, когда после госпиталя возвращался на фронт. И эти три дня, фронтовые рассказы старшего брата, его страстную юношескую веру в силу науки и инженерной мысли Жорес запомнил на всю жизнь. Маркс Алфёров погиб 15 февраля 1944 года в бою у деревни Хильки в последние дни Корсунь-Шевченковской операции, похоронен в братской могиле. По словам Жореса Ивановича, сила духа и моральные качества старшего брата оказали большое влияние на формирование его характера: «Он был человеком более талантливым, более целеустремленным и чистым, чем я».

После войны семья Алфёровых вернулась в Минск. Там будущий ученый учился в средней школе. Его учитель физики сыграл огромную роль в его дальнейшей жизни: «он перевернул меня, и мне захотелось заниматься физикой и электроникой после того, как он рассказал мне про катодный осциллограф и локацию». Теперь эта школа носит его имя — минская гимназия №42 имени лауреата Нобелевской премии Ж.И. Алфёрова.

Закончив школу с золотой медалью, он отучился год в Белорусском политехническом институте, после чего поехал поступать в ленинградский ЛЭТИ, куда его приняли на второй курс факультета электронной техники без экзаменов. В то время институт был одним из «пилотных» вузов в области отечественной электроники и радиотехники.

Там, начав в 1950 году экспериментальную работу под руководством Наталии Николаевны Созиной, незадолго до этого защитившей диссертацию по исследованию полупроводниковых фотоприёмников в ИК-области спектра, Ж.И. Алфёров впервые столкнулся с полупроводниками, ставшими главным делом его жизни. В 1952 году он с отличием окончил ЛЭТИ по специальности «электровакуумная техника».

В декабре 1952 года в ЛЭТИ проходило распределение. Жорес Иванович мечтал работать в Ленинградском физико-техническом институте Академии наук СССР (ЛФТИ), которым руководил его основатель — академик Абрам Иоффе и где в разные годы работали академики Игорь Курчатов и Юлий Харитон и нобелевские лауреаты Петр Капица и Лев Ландау.

30 января 1953 года Жорес Иванович начал работать в Ленинградском физико-техническом институте ЛФТИ. В лаборатории советского физика Владимира Тучкевича, ставшего потом академиком и Героем Социалистического Труда, он занимался разработкой первых советских транзисторов и силовых германиевых приборов. В мае 1953 года первые советские транзисторные приёмники демонстрировались «высокому начальству», а в октябре в Москве работу принимала правительственная комиссия. В очень короткое время в лаборатории доктора физ.-мат. наук профессора В.М. Тучкевича были созданы первые советские германиевые силовые выпрямители, германиевые фотодиоды и кремниевые солнечные батареи, исследовано поведение примесей в германии и кремнии.

В мае 1958 году к Ж.И. Алфёрову обратился Анатолий Петрович Александров с просьбой разработать полупроводниковые устройства для первой советской атомной подводной лодки «Ленинский комсомол». Для решения этой задачи нужны были принципиально новые технология и конструкция германиевых вентилей. За выполнение этой задачи в 1959 году Ж.И. Алфёров получил свою первую награду — орден «Знак Почета».

Тогда же он начал изучать физику полупроводников и гетероструктур.

Работая в институте Иоффе, Жорес Иванович защитил свою кандидатскую диссертацию, посвящённую разработке и исследованию мощных германиевых и частично кремниевых выпрямителей в 1961 году. В 1970 году он защитил докторскую диссертацию на тему «Гетеропереходы в полупроводниках», в которой обобщил новый этап исследований гетеропереходов в полупроводниках и создал первый в мире гетеролазер на известной теперь во всем мире гетеропаре галлий арсенид — алюминий-галлий арсенид (GaAs — AlGaAs).

Занятия прикладной наукой у Жореса Ивановича шли параллельно с преподавательской работой. В 1972 году Жорес Иванович стал профессором, а через год — заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ при ЛФТИ. Он возглавлял кафедру 30 лет, а ее преподавателями были известные ученые. Время создания базовой кафедры совпало с периодом интенсивного развития информационных технологий, базирующихся на достижениях электроники и оптоэлектроники.

Зимой 1971 года Алфёров улетел в США, где Франклиновский институт за разработку гетеролазера присудил ему медаль Стюарта Баллантайна. Её лауреатами были известные учёные, в том числе 11 лауреатов Нобелевской премии.

В 1972 году он получил Ленинскую премию за фундаментальные исследования гетеропереходов в полупроводниках и создание новых приборов на их основе.

В 1987 году он возглавил Физико-математический институт им. А.Ф. Иоффе и руководил им по 2003 год, а до 2006 года оставался председателем учёного совета института. В ФТИ им. Иоффе под его руководством была разработана новая конструкция лазеров с использованием технологии гетероструктур с предельным размерным квантованием — это сделало Россию лидером в данной области.

В 1988 году он стал деканом физико-технического факультета Ленинградского, затем — Санкт-Петербургского государственного политехнического университета (СПбГПУ).

Жорес Иванович — почетный доктор более 60 университетов в мире, автор сотен научных работ, трех монографий и 50 изобретений. Среди его учеников более ста кандидатов и докторов наук. Наиболее известные представители школы: члены-корреспонденты РАН Д.З. Гарбузов, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, А.Е. Жуков; доктора физ.-мат. наук: В.М. Андреев, В.И. Корольков, С.Г. Конников, С.А. Гуревич, Ю.В. Жиляев, П.С. Копьев и др.

За свои заслуги Жорес Иванович был принят почетным членом многих российских и иностранных академий, в том числе Академии Наук Республики Беларусь, Академии наук Украины, Оптического общества (США), единственный из российских ученых, кто был избран в 1990 г. иностранным членом Академии наук США и иностранным членом Национальной инженерной академии наук США, Академии науки и технологии Кореи, Испанской инженерной академии, Национальных Академий Наук Азербайджана, Казахстана, Литвы и Молдовы, Польской и Болгарской Академий наук, Академии наук «Forty» (Италия), Академии наук Китая.

В 1972 году Жорес Иванович Алфёров был избран членом-корреспондентом АН СССР, а в 1979 году — академиком Академии наук СССР. В 1990-1991 годах он был вице-президентом АН СССР, с 1991 по 2017 год — вице-президентом Российской академии наук.

От Академии наук СССР Ж.И. Алфёров активно занимался отечественной электронной промышленностью на этапе ее становления и развития в 1970-80 гг. Он плотно общался не только со всеми советскими министрами электронной промышленности, но и с видными иностранными учеными в этой области. С американским физиком Джоном Бардиным, лауреатом Нобелевской премии за изобретение транзистора совместно с Уильямом Шокли и Уолтером Браттейном, с изобретателем первого полупроводникового светодиода Ником Холоньяком и многими другими.

В 1960 году Жорес Иванович организовал передачу на саранский завод «Электровыпрямитель» технологии производства силовых приборов и в Саранске очень тепло о нем вспоминают. Он работал с белорусскими предприятиями — с «Планаром», который разрабатывает оборудование для микроэлектронного производства и другими.

В 2000 году Шведская королевская академия наук удостоила Жореса Ивановича Алфёрова совместно с немецким физиком Гербертом Кремером Нобелевской премией «За разработку полупроводниковых гетероструктур, используемых в высокочастотных схемах и оптоэлектронике».

На рубеже тысячелетий стало очевидно, что будущее информационных систем за компактными и быстрыми устройствами, которые позволяет передавать огромное количество информации за короткий промежуток времени. Созданные на базе исследований Алфёрова приборы и устройства буквально произвели научную и социальную революцию. Благодаря открытию стало возможным создание волоконно-оптической связи и высокоскоростного доступа в Интернет, а значит, и формирование целых промышленных отраслей и всей нашей современной жизни. Благодаря исследованиям Ж.И. Алфёрова фактически создано новое направление: гетеропереходы в полупроводниках.

Жорес Иванович был очень многогранной личностью и помимо научной работы вел активную общественно-политическую деятельность. С 1989 по 1992 год он был депутатом Верховного совета СССР от Академии наук СССР. C 1995 года — депутат Государственной думы Федерального собрания РФ, член комитета по образованию и науке. В своей политической деятельности неизменно отстаивал интересы российской науки и Академии.

Любимым «детищем» Жореса Ивановича был Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, ректором-основателем которого он стал в 2002 году. Ранее он был известен как Научно-образовательный центр ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН. В 2009 году университет был реорганизован путём присоединения к нему Санкт-Петербургского физико-технологического научно-образовательного центра РАН, лицея «Физико-техническая школа» при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе РАН и получил современное название. Сегодня университет носит имя своего основателя — Жореса Ивановича Алфёрова. В 2004 году он основал и возглавил кафедру физики и технологий наноструктур в Институте физики, нанотехнологии и телекоммуникаций (ИФНиТ) университета. Был научным руководителем ИФНиТ СПбГПУ.

В 2010 году Жорес Иванович был назначен научным руководителем инновационного центра в Сколково. Тогда же, в 2010 году он стал сопредседателем Консультативного научного Совета Фонда «Сколково». Как сопредседатель Консультативного научного совета Фонда он был инициатором выездных заседаний в Америке, в Германии, в Израиле, почти во всех странах СНГ.

«Успех «Сколково», как не территории, а идеологии, будет связан, на самом деле, с очень непростым, в том числе и для российских ученых, симбиозом нашей научной общественности, научных работников с бизнесом, с научным бизнесом. Большой успех будет связан только с тем, что мы найдем такие проекты, которые дают возможность выйти на совершенно новые рубежи. Здесь важно сегодня сосредоточиться на медико-биологических исследованиях, в которые очень активно идут информационные, полупроводниковые технологии, наноструктуры».

Жорес Иванович Алфёров имеет множество правительственных и международных наград и премий: он был лауреатом государственных премий, полным кавалером ордена «За заслуги перед Отечеством», был награжден орденом Ленина, высокими наградами Белоруссии, премиями мировых научных сообществ: премией Киото, Карпинского, Холоньяка и многими другими.

В 2019 году Президент РФ В.В. Путин подписал Указ «Об увековечении памяти Ж.И. Алфёрова». Отмечая выдающийся вклад Ж.И. Алфёрова в развитие отечественной и мировой науки, Президент поручил учредить 10 персональных стипендий имени Ж.И. Алфёрова для молодых ученых в области физики и нанотехнологий, присвоить имя Ж.И. Алфёрова «Санкт-Петербургскому национальному исследовательскому Академическому университету» РАН, установить мемориальную доску, посвященную Ж.И. Алфёрову, а также назвать его именем одну из улиц Санкт-Петербурга.

Уход из жизни Жореса Ивановича стал невосполнимой утратой не только в России, но в масштабах всего мира. Благодаря энергии и таланту Жореса Ивановича свершились важные открытия и прорывы в научном знании, создавшие основу современного высокотехнологичного мира. Он был не только выдающимся ученым, но и настоящим гражданином нашей страны, гражданином «с большой буквы». Он всегда твердо отстаивал свои взгляды на всех уровнях. Нам сегодня таких людей очень не хватает. Хотелось бы, чтобы память о нем навсегда осталась в наших сердцах и в истории России.

х х х

«Жорес Алферов и его школа физики и технологии полупроводниковой гетероструктурной фотоники». Д.ф.-м.н. С.В. Иванов — директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе.

(jpg, 68 Kб)

Роль Жореса Ивановича Алферова в создании нового направления в физике полупроводников — физики и технологии полупроводниковых гетероструктур — трудно переоценить. Его открытие и экспериментальные доказательства преимуществ контролируемого управления профилем энергетических зон в полупроводниках с использованием идеальных гетеропереходов привели к созданию широкого спектра новых полупроводниковых электронных и оптоэлектронных устройств с характеристиками, радикально превосходящими таковые у приборов на основе объемных полупроводниковых материалов. Эта новая гетероструктурная элементная база очень быстро изменила лицо современного мира и открыла эпоху телекоммуникационных технологий. Награждение его вместе с Гербертом Крёмером и Джеком Килби Нобелевской премией по физике в 2000 году за «фундаментальную работу, заложившую основы современных информационных технологий, особенно в области разработки полупроводниковых гетероструктур, используемых в высокоскоростной и оптической электронике», продемонстрировало высокую оценку человечеством его научного вклада.

Помимо области полупроводниковых гетеролазеров, где группой Ж.И. Алферова, работавшей в ФТИ им. А.Ф. Иоффе, в конце 60-х — начале 70-х годов прошлого века были получены основные приоритетные на мировом уровне результаты по непрерывным лазерам на основе двойных гетероструктур AlGaAs, работающим при комнатной температуре. Полупроводниковые гетероструктуры А3В5 стали основой современной микро- и оптоэлектроники, солнечной энергетики, фотосенсорики, силовой электроники, оптических коммуникаций и информационных технологий. Благодаря научно-техническим усилиям и активной просветительской деятельности Ж.И. Алферова и его коллег, эти научные разработки ФТИ в течение 3-5 лет были доведены до промышленного внедрения в отраслевых институтах и на предприятиях в СССР, а параллельно и в передовых компаниях США и некоторых европейских стран. В 1986 году первая советская орбитальная космическая станция была оснащена энергоблоком на основе гетероструктурных солнечных преобразователей GaAs/AlGaAs, прослуживших исправно 15 лет.

С открытием в США новых эпитаксиальных технологий, таких как МОС-гидридная и молекулярно-пучковая (МПЭ) эпитаксии, которые оказались в состоянии создавать совершенные гетероструктуры с контролем химического состава и легирования на уровне 1 атомного слоя, Ж.И. Алферов инициировал в ФТИ им. А.Ф. Иоффе активные работы в этом направлении в начале 80-х годов, в которые наряду со своими опытными коллегами направил своих учеников — выпускников базовой кафедры оптоэлектроники ФТИ, созданной им в его родном университете — ЛЭТИ им. В.И. Ульянова (Ленина). В дальнейшем, в постперестроечное время, эти исследовательские группы пополнились физиками и технологами нового поколения, получившими образование в Политехническом и Академическом университетах. Наступила эра квантовых нанотехнологий, одним из первых продуктов которой стали лазерные диоды (ЛД) с раздельным ограничением области генерации (квантовой ямы) и области распространения излучения (волновод на основе полупроводниковой сверхрешетки), разработанные в ФТИ в 1987 г. и продемонстрировавшие сверхнизкие недостижимые ранее пороговые токи.

Изготовление на этой базе в ФТИ методом МПЭ первых в мире ЛД с самоорганизующимися квантовыми точками (КТ), первоначально реализованных с помощью КТ InAs для ИК и телекоммуникационного спектрального диапазона, а затем с КТ CdSe/ZnSe для видимого сине-зеленого диапазона, позволили достичь более длинных волн по сравнению с лазерами на квантовых ямах, более высокой термостабильности и более низкого порогового тока.

В течение последних нескольких десятилетий учениками «Алферовской школы» в ФТИ им. А.Ф. Иоффе, а затем и в Академическом университете, был существенно расширен спектр создаваемых приборов гетероструктурной фотоники и оптоэлектроники, использующих низкоразмерные гетероструктуры, также был расширен и ряд используемых полупроводниковых материалов и, соответственно, перекрываемый спектральный диапазон — от среднего ИК до глубокого УФ (на основе AlGaN).

В докладе кратко представлены новые разработки ФТИ им. А.Ф. Иоффе в области высокоэффективных трехкаскадных солнечных элементов А3В5/Ge для космического и наземного применения, мощных полупроводниковых лазеров и приемо-передающих модулей для оптоволоконных фотонных энергоинформационных трактов, вертикально-излучающих лазеров для компактных стандартов частоты и ядерных магнитных гироскопов на 890-895 нм, элементов полупроводниковой фотоники среднего УФ диапазона 230-300 нм на основе наногетероструктур AlGaN: фотокатодов, фотодиоды, источников мощного спонтанного и стимулированного излучений и, наконец, первых в России высокоэффективных источников одиночных фотонов с наноантеннами, излучающих в диапазоне 0.48-1.3мкм, на основе разреженных массивов КТ InAs и А2В6 – CdTe и CdSe. Результаты данных передовых НИР будут активно использоваться в рамках реализации ОКР и опытно-промышленных разработок с использованием современного полупромышленного оборудования в создаваемом ФТИ им. А.Ф. Иоффе НИОКР-центре, завершение строительства и технического перевооружения которого намечено на конец 2020 г.

х х х

 (jpg, 89 Kб)

 «Он был среди нас запевалой. Жорес и его команда». Академик РАН Ю.В. Гуляев, научный руководитель Института радиотехники и электроники, директор-организатор Института нанотехнологий микроэлектроники (ИНМЭ РАН), дважды лауреат Государственной премии СССР.

Так вышло, что в 1970 году к нам на отзыв поступила докторская диссертация Жореса Алфёрова, как в ведущую организацию — в Институт радиотехники и электроники Академии наук СССР, этот отзыв поручили готовить мне. А оппонент на то и оппонент, чтобы даже на Солнце найти пятна. Но, увы: масштаб и глубина его работы произвели впечатление и на меня, и на моих коллег. Жорес Алфёров уже тогда предложил к реализации полупроводниковый лазер на двойной гетероструктуре из арсенида галлия с алюминием. И буквально вскоре это произвело переворот в способах передачи, приёма и обработки огромных массивов информации.

Алфёров блестяще защитился и стал доктором физико-математических наук. А в 1972-м вместе со своей физтеховской командой был отмечен Ленинской премией. Благодаря, как теперь говорят, харизме, и глубоким фундаментальным знаниям он смог собрать вместе плеяду замечательных учёных: Р.Ф. Казаринов, Р.А. Сурис, Е.Н. Портной, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, В.И. Корольков, Д.Н. Третьяков. Его находчивость органично сочеталась с лидерскими качествами — и в повседневной жизни, и в той области науки, которую Жорес для себя избрал. Заводила в компании друзей, он был запевалой и на работе. Исследовательский коллектив под его руководством задал, по сути, новое глобальное направление в электронике — гетероструктурную электронику.

Напомню для примера, как был создан миниатюрный усилитель сверхвысокочастотных сигналов СВЧ, который играет решающую роль в сотовых телефонах. Не секрет, что принцип сотовой телефонной связи был предложен фирмой Бэлл в США ещё в 1943 году. Но долгое время приёмно-передающие устройства такой подвижной радиосвязи (то, что теперь именуют сотовыми телефонами) были очень громоздкими — главным образом, из-за тяжёлых усилителей сигналов в диапазоне СВЧ и других элементов обработки информации — они едва помещались в багажнике автомобиля и должны были специальным защитным экраном отделяться от людей (абонентов).

И лишь после того, как в 1969 году Жоресом Алфёровым и его командой был создан миниатюрный СВЧ-усилитель, а в моей лаборатории и, параллельно, в нескольких лабораториях за рубежом удалось получить миниатюрные СВЧ-фильтры на так называемых поверхностных акустических волнах, стало возможным разместить сотовый телефон в дамской сумочке или просто в кармане. Однако пройдет еще почти двадцать лет прежде, чем в Москве зазвонит первый сотовый телефон — уже в привычном для нас понимании, а мы с Жоресом в один день почувствуем себя именинниками.

В 1989 году состоялись выборы на Съезд народных депутатов СССР. Наши пути, уже как народных депутатов, сошлись в подкомитете Верховного Совета СССР по вопросам связи и информатики: меня избрали передседателем, Жорес Иванович активно включился в работу.

Нам поручили создать в Кремлёвском Дворце съездов, как он тогда назывался, электронную машину для голосования на 6 тысяч мест. Мы разработали и создали такую машину, которая и сегодня, по моим данным, является одной из самых больших систем для электронного голосования в мире. По ходу дела она совершенствовалась, и в день открытия очередного съезда Михаил Сергеевич Горбачев вызвал меня на трибуну, чтобы я объяснил депутатам — как этим пользоваться.

Вторая по срочности, но куда более глобальная задача, которую поставили перед нашим подкомитетом, объединялась общим термином «информатизация» — Советского Союза в целом, а также важнейших сфер в приоритетном порядке. Среди приоритетов — развитие современных систем телекоммуникаций. Что мы тогда имели? На сто жителей СССР приходилось в среднем девять стационарных телефонов, в то время как даже в Республике Зимбабве на то же число населения было 13 телефонных аппаратов, не говоря уже о европейских странах, США, Японии с их 100%-й телефонизацией. А что уж говорить о сотовых телефонах! В разработку технологий их создания большой вклад внесли, как я уже говорил, советские учёные, но в самом СССР про них ничего не было известно.

Так или иначе, мы работали, не считаясь с выходными и летними отпусками — и в нашем подкомитете, с участием ведущих экспертов в области информатики и связи, была подготовлена такая программа. Участие Жореса было очень продуктивным — на пользу дела шли его научный авторитет и широчайшие контакты со специалистами в области радиоэлектроники, информатики, связи. Никто, как Алферов, не умел наводить мосты — и в нашей стране, и за рубежом.

Первым пунктом программы — в 1989 году! — значилась цифровизация. То есть переход на цифровые методы обработки информации — в частности, цифровые радио и телевидение, цифровые телекоммуникации, в том числе цифровые телефоны. Тридцать лет назад мы предлагали ровно то, что по-настоящему начинается только сейчас.

Вторым по важности направлением считали развитие и максимально широкое использование световолоконных систем телекоммуникаций, особенно на магистральных линиях связи. И тут, конечно, нельзя не упомянуть (потому что без него не обойтись) полупроводниковый лазер на двойной гетероструктуре — изобретение Жореса и его команды.

Говоря о световолоконных линиях связи, мы понимали: на огромных пространствах СССР с очень контрастной плотностью населения их прокладка и содержание не всегда оправданы с экономической точки зрения. Отсюда третье важнейшее направление как альтернатива — использование искусственных спутников Земли для телекоммуникаций, радио, телевидения, систем навигации — с учетом наших достижений в космосе.

Четвертое направление — упомянутая мной сотовая телефонная связь. Уже в 1989 году мы имели обоснование, что с экономической точки зрения в СССР более выгодно сразу внедрять сотовую связь (которая была ещё дорогой), вместо того, чтобы тянуть медные провода, ставить столбы и долбить стены промышленных зданий, госучреждений и жилых домов. Такие расчеты были проведены для Москвы и Московской области, а также для ряда других регионов СССР, в том числе и с малой плотностью населения.

Но, увы, не было тогда в СССР производства сотовых телефонов, волоконных линий связи и оборудования для них. Оптимальным для тех лет решением в Минсвязи СССР сочли международный тендер на создание сотовой телефонной связи в Москве. Его выиграла финская компания Nokia и 10 октября 1989 года в столице СССР зазвонил первый сотовый телефон.

И для меня, и для Жореса этот день был праздничным…

Сегодня в России на 140 миллионов населения более 300 миллионов сотовых телефонов — «мобильников», как теперь говорят. Правда, все они — зарубежного производства. Почему в России так и не смогли наладить конкурентное производство своих сотовых телефонов, рассуждений было много, повторять не хочется. Сошлюсь лишь на сказанное с кремлевской трибуны Жоресом Алфёровым на втором съезде народных депутатов СССР 14 декабря 1989 года (уже после того, как в Москве зазвонил первый сотовый телефон от фирмы Nokia): мы построили «на основе самой материалистической в мире философии самую идеалистическую, в худшем смысле слова, в мире экономику».

В депутаты российской Думы я уже не пошел, а Жорес Алфёров рассудил по-своему. Он не переставал верить, что в новой России можно что-то серьезное сделать по-новому. Например, создать такой научно-образовательный комплекс, в котором была бы на современном уровне реализована известная еще с петровских времен связка: «лицей, университет, наука и промышленность». И ради этого поддался на уговоры тогдашнего главы правительства Виктора Черномырдина пойти в Госдуму от партии «Наш дом — Россия»

Надо отдать должное — Черномырдин слово сдержал, и Жорес получил стартовые средства на строительство Научно-образовательного центра ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН, как он с 1997 по 2002 год назывался. Наиболее активно и последовательно деятельность Алфёрова в этом направлении поддерживали в думской фракции КПРФ, включая Ивана Мельникова и Геннадия Зюганова. Депутаты именно этой фракции, находясь в меньшинстве, не переставали поддерживать науку в России и выступали против попыток её непродуманного «реформирования». Думаю, это и определило выбор Жореса Алфёрова в 1999 году, когда он — еще не Нобелевский лауреат! — решил баллотировался в Госдуму по списку КПРФ. И был, разумеется, избран. Тем самым дал прямой и публичный повод зачислить его в оппозицию действующей власти.

При всем том, что Жорес искренне придерживался коммунистической идеологии, считая её (так, это представлено в «Коммунистическом манифесте», то есть в идеале) более справедливой и правильной — он сам ни романтиком, ни догматиком не был: поступал как реалист и даже прагматик, когда требовали интересы дела. Больше всего Алфёрова мучил вопрос: почему в России с её огромными природными ресурсами и человеческим потенциалом нет желаемого роста ни в экономике, ни в социальной сфере.

Новый тип образовательного комплекса — Академический университет с лицеем — это, безусловно, рукотворный памятник, который он себе воздвиг, несмотря на возникавшие барьеры, непонимание и формальные ограничения со стороны чиновников от образования и науки.

При высоких должностях в науке и большом количестве почетных званий Жорес при жизни сам не был памятником, не «бронзовел» и величием не кичился — до последних дней оставался живым в общении, любил хорошую компанию. Для меня Жорес был близким другом. И теперь, когда нет возможности его увидеть, обнять или хотя бы позвонить, это сознаешь особенно остро.

В обсуждении докладов выступили:

д.филос.н. Г.А. Зюганов — председатель КПРФ, руководитель фракции КПРФ в Государственной Думе; д.ф.-м-.н. С.В. Иванов — директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН; чл.-корр. В.М. Устинов, ак. Ю.В. Гуляев, ак. Р.А. Сурис, ак. А.Г. Забродский.

х х х

Члены Президиума заслушали научное сообщение «О реализации государственной научно-технической политики в Российской Федерации».

Сообщение члена-корреспондента РАН Владимира Викторовича Иванова.

х х х

На заседании рассмотрен вопрос о присуждении ученой степени доктора honoris causa иностранному ученому Лю Чженья (представление Отделения энергетики, машиностроения, механики и процессов управления).

Лю Чженья родился 2 августа 1952 года. Профессор Шаньдунского университета, почетный профессор Северо-Китайского университета электроэнергетики, действительный член Шведской королевской академии наук. В 1976 году окончил факультет электроэнергетики Шаньдунского политехнического института и преподавал в нем, был президентом государственной электросетевой корпорации Китая, крупнейшей в мире. В настоящее время является председателем Организации по развитию и кооперации в области глобального энергообъединения (GEIDCO), председателем китайского комитета Комиссии международной глобальной электросети.

Лю Чженья — всемирно известный специалист в области электротехники. Наиболее важные его научные исследования лежат в области электрофизических процессов в протяженных проводниках, преобразовательных и коммутационных устройствах при ультравысоком напряжении — УВН (постоянный ток +/- 800 кВ и выше и переменный ток 1000 кВ и выше). Им лично и под его руководством были получены базовые научно-технические знания, необходимые для проектирования линий электропередачи (ЛЭП) УВН на переменном и постоянном токе, в том числе, по таким важнейшим вопросам, как предельные значения параметров электромагнитной среды, уровни перенапряжений, компенсация реактивной мощности, конфигурация электроизоляции, грозозащита и др., созданы демонстрационные установки и испытательные полигоны, разработана признанная во всем мире методика стандартизации УВН.

Научные результаты и разработки Лю Чженья позволили Китаю создать мощную электротехническую промышленность и стать мировым лидером в области электротехники УВН. При непосредственном руководстве Лю Чженья в Китае было разработано и освоено производство всех основных элементов ЛЭП УВН, включая преобразовательные вентили на основе мощных высоковольтных тиристоров и системы управления ими, преобразовательные трансформаторы, сглаживающие реакторы и фильтры постоянного и переменного тока, устройства компенсации реактивной мощности, системы автоматического регулирования и защиты на базе высокопроизводительной микропроцессорной техники и др., и в итоге сформирована крупнейшая в мире электрическая сеть УВН на переменном и постоянном токе. Это вывело китайскую электротехнику на передовые позиции в мире и открыло в мировой электроэнергетике новую эру — эру УВН.

Написанные Лю Чженья монографии по основам электротехники УВН, передаче электроэнергии постоянным током на УВН, созданию глобальной электроэнергетической системы были переведены на английский и русский языки. Он руководил подготовкой более 20 научных диссертаций, имеет 6 ключевых патентов в области электротехники УВН, является главным редактором ряда научных журналов.

Усилиями Лю Чженья активно развивается российско-китайское научно-техническое сотрудничество в области электротехники УВН и создания электрических систем УВН.

х х х

Члены президиума обсудили и приняли решения по ряду других научно-организационных вопросов.