Академику Садовскому Михаилу Виссарионовичу - 65 лет!

25.02.2013

Юбилей академика Садовского Михаила Виссарионовича

 

АКАДЕМИК

Садовский Михаил Виссарионович

 

Академик Садовский (jpg, 5 Kб)

Михаил Виссарионович Садовский родился 25 февраля 1948 года в г. Свердловске.

В 1971 году окончил Физический факультет Уральского Госуниверситета.

В 1974 - 1987 гг. - научный сотрудник Института физики металлов (ИФМ) УНЦ АН СССР (Свердловск). С 1987 года - заведующий лабораторией теоретической физики Института электрофизики УрО РАН. В настоящее время заместитель директора ИЭФ УрО РАН.

Член-корреспондент c 1994 года, академик c 2003 года - Отделение физических наук.

Специалист в области теории конденсированного состояния вещества.

Ряд работ М.В. Садовского посвящен теории пайерлсовского структурного перехода в квазиодномерных системах и электронным свойствам систем с развитыми флуктуациями ближнего порядка. Им предложена оригинальная модель электронного спектра, демонстрирующая образование псевдощели.

В теории локализации электронов в неупорядоченных системах он применил идеи скейлинга и инстантонный подход, выявил аналогию задачи об электроне в случайном поле, создаваемом беспорядком, и проблемы описания неустойчивостей в скалярной теории поля, обладающей свойством асимптотической свободы. Им предложено многомерное обобщение самосогласованной теории локализации.

Садовским М.В. дано обобщение теории «грязных» сверхпроводников на случай систем с очень малыми длинами свободного пробега, находящихся вблизи локализационного перехода металл-диэлектрик. В частности, им предсказана принципиальная возможность сверхпроводимости в состоянии андерсоновского диэлектрика, объяснены наблюдавшиеся аномалии температурной зависимости верхнего критического поля.

В последние годы им выполнен цикл работ, посвященных выяснению природы так называемого псевдощелевого состояния высокотемпературных сверхпроводников, основанных на двумерном обобщении предложенных им ранее одномерных точно решаемых моделей. Им изучены особенности сверхпроводимости в псевдощелевом состоянии, вызываемом флуктуациями ближнего порядка диэлектрического типа (антиферромагнитными или типа волн зарядовой плотности), построена теория оптической проводимости в псевдощелевом состоянии.

Автор более 140 научных статей

Член редколлегий Журнала экспериментальной и теоретической физики и журнала «Успехи физических наук».

Член Президиума Уральского отделения РАН. Является заместителем председателя комиссии РАН по борьбе с лженаукой и фальсификацией научных исследований.

Лауреат премии РАН им. А.Г. Столетова.

 

©РАН 2020