Александр Сергеев посетил Институт физики полупроводников
СО РАН
01.02.2021
В рамках визита в Новосибирск глава РАН Александр Сергеев посетил Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН - головную организацию проекта "Квантовые структуры для посткремниевой электроники. Участники надеются установить фундаментальные физические закономерности квантовых и топологических полупроводниковых материалов, гетеросистем и структур, а главное, определить возможности их использования для перспективной посткремниевой электроники на новых физических принципах.
Цифровая экономика, роботизация, квантовая криптография и другие передовые направления развития требуют от электроники увеличения скорости, энергоэффективности, быстродействия и безопасности передачи данных. По оценкам ученых, функциональные пределы кремниевой элементной базы совсем скоро будут достигнуты. Поэтому уже сегодня ученые всего мира ищут структуры, которые смогут работать в рамках новых физических принципов, в частности - с использованием квантовых эффектов.
Директор Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН Александр Латышев рассказал о первых результатах проекта. Уже разработаны основы технологии базовых наноэлементов для компьютеров нового поколения, динамически управляемых метаматериалов и плазмонных наноприборов. Среди участников проекта: Новосибирский государственный университет, Институт прикладной физики РАН, Санкт-Петербургский государственный университет, Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН.
"Наличие подобных проектов - большой плюс. Ведь речь идет не только об объединении научных ресурсов, но и объединении технологий, приборной базы", - отметил Латышев. "Нас окружает цифровая трансформация. В основе всех достижений лежит элементная база, на которой всё это выполнено. Основа всего - транзистор. Современные тенденции связаны с уменьшением геометрического размера транзистора. Уже создаются микросхемы, основанные на 50-ти млрд транзисторах".
Одной из основных технологий современной полупроводниковой электроники считается молекулярно-лучевая эпитаксия. Специфика метода характеризуется осаждением испарённого в молекулярном источнике вещества на кристаллическую подложку. Несмотря на достаточно простую идею, реализация данной технологии требует чрезвычайно сложных технических решений.
Источник: Научная Россия