Академику Дианову Евгению Михайловичу - 75 лет!

31.01.2011

Юбилей академика Дианова Евгения Михайловича

АКАДЕМИК

Дианов Евгений Михайлович

Академик Дианов (jpg, 5 Kб)

 

Евгений Михайлович Дианов родился 31 января 1936 года в селе Красное Тульской области.

В 1960 году окончил Физфак МГУ им. М.В. Ломоносова. С 1983 года работает в Институте общей физики АН СССР. С 1988 по 1998 год был заместителем директора Института общей физики РАН. В 1994 году избран директором Научного центра волоконной оптики при ИОФ РАН.

Член-корреспондент c 1987 г., академик c 1994 г.- Отделение химии и наук о материалах.

Е. М. Дианов - признанный лидер научного направления волоконной оптики в России.

В конце 1960-х годов Е.М. Диановым был предложен подход к созданию нового типа лазерных неодимовых стекол, обеспечивающих высокую направленность лазерного излучения. Он предложил радикальный способ решения проблемы, заключающейся в выборе составов стекол, в которых так называемая тепловая линза не возникает или имеет очень малую силу. Совместно с Лыткаринским заводом оптического стекла такие лазерные стекла (атермальные стекла) были разработаны и внедрены в промышленное производство.

В начале 1970-х годов во многих развитых странах мира проводились интенсивные исследования по созданию стеклянных волоконных световодов с низким уровнем затухания света. В СССР к таким работам приступили в Физическом институте имени П.Н. Лебедева АН СССР они были начаты по инициативе академика А.М. Прохорова. Непосредственно руководить работами по созданию стеклянных световодов было поручено Е.М. Дианову. Уже в 1974 году совместно с Институтом химии АН СССР впервые в стране была разработана технология стеклянных волоконных световодов с низким уровнем оптических потерь. Это позволило сотрудникам лаборатории, руководимой Е.М. Диановым, провести широкие фундаментальные исследования и получить ряд результатов мирового уровня. Так, были проведены фундаментальные исследования прочности стеклянных волоконных световодов и разработана технология нанесения на световоды герметичных металлических покрытий, позволившая вдвое увеличить прочность волоконных световодов.

В результате фундаментальных исследований распространения оптических солитонов в волоконных световодах впервые был обнаружен и объяснен эффект смещения несущей частоты оптических солитонов фемтосекундных длительностей по мере распространения по волоконному световоду. Е.М. Дианов первым в стране и в мире предложил и экспериментально осуществил генерацию высокочастотной последовательности фундаментальных солитонов в волоконных световодах. В его лаборатории впервые предложен и теоретически обоснован электрострикционный механизм взаимодействия солитонов при их распространении по волоконному световоду. Разработанная теория позволила объяснить экспериментальные результаты, полученные другими авторами, и предсказать ограничения в скорости передачи информации, обусловленные этим механизмом.

Под руководством Е.М. Дианова были проведены фундаментальные исследования вынужденного комбинационного рассеяния света (Рамановского рассеяния) в стеклянных волоконных световодах, позволившие разработать высокоэффективные волоконные оптические усилители и лазеры для систем волоконно-оптической связи. В дальнейшем совместно с ИХВВ РАН разработано семейство инфракрасных волоконных световодов с низкими потерями (для области спектра 2-10 мкм).

Е.М. Дианов и созданный им коллектив Научного центра волоконной оптики при ИОФ РАН (НЦВО при ИОФ РАН) активно трудится над созданием теоретических основ и элементной базы волоконно-оптических систем передачи информации будущего поколения. Эта работа охватывает широкий круг исследований, связанных с динамикой распространения фемтосекундных оптических солитонов, с созданием волоконно-оптических и интегрально-оптических усилителей, лазеров и дисперсионных элементов, с поиском новых перспективных материалов для пассивных и активных световодов.

Подготовил 9 докторов и более 60 кандидатов наук.

Автор и соавтор более 700 научных работ, нескольких российских и международных патентов на изобретения.

Член Редакционного совета журнала «Квантовая электроника».

Член Совета Государственной Думы по инновациям, член Комиссии РАН по нанотехнологиям.

Член Американского оптического общества, Института электрических и электронных инженеров, Общества исследования материалов; Американского керамического общества.

Лауреат Государственной премии СССР (1974 г.) и Государственной премии РФ (1998 г.).

Награжден орденом «Знак Почета» (1983 г.), орденом Дружбы (1996 г.), орденом «За заслуги перед Отечеством» IV степени (2006 г.),

Лауреат премии им. А.С. Попова АН СССР (1980 г.).

 

©РАН 2018