Николай Александрович Ратахин родился
24 декабря 1950 года в селе Ново-Троицк Тулунского района Иркутской области, у
его родителей было пять и семь классов образования.
В 1973 году окончил физический
факультет Новосибирского государственного университета, в 1978 — аспирантуру
Томского института автоматизированных систем управления и радиоэлектроники. Далее
— стажер-исследователь в отделе сильноточной электроники Института оптики
атмосферы СО АН СССР. С 1978 года — в Институте сильноточной электроники СО РАН:
младший, старший научный сотрудник (1978), зав. лабораторией (1986), зав.
отделом высоких плотностей энергии (1994), зам. директора по научной работе (2003-2006),
и.о. директора, с 2006 года — директор Института сильноточной электроники СО
РАН.
В 2012-2015 гг. — председатель
президиума Томского научного центра Сибирского отделения Российской академии наук,
с 2018 года — председатель Совета директоров институтов ТНЦ СО РАН.
15 лет преподает на кафедре физики
плазмы в Национальном исследовательском Томском политехническом университете, с
2006 года — зав. кафедрой высоковольтной электрофизики и сильноточной
электроники ТПУ.
Член-корреспондент РАН c 2006 года,
академик РАН c 2016 года — Отделение физических наук.
Академик Н.А. Ратахин — ученый, который
получил результаты мирового уровня и работы которого широко известны в России и
за рубежом: они имеют и фундаментальное, и практическое значение. Организатор науки.
Специалист в области импульсной энергетики и физики экстремальных состояний
вещества, физики пучков, z- пинчей, рентгеновского излучения.
Н.А. Ратахин внес значительный вклад в
создание, проведение испытаний и освоение серийного производства специальной
техники. В 2001 году в составе авторского коллектива ему была присуждена Первая
премия Объединенного института ядерных исследований (г. Дубна) за работу
«Исследование реакций между легкими ядрами в области ультранизких энергий с
использованием лайнерной плазмы».
Основное направление научной
деятельности Н.А. Ратахина — исследование методов компрессии электрической
энергии и ее преобразования в мощные потоки заряженных частиц и рентгеновское
излучение. Под его руководством разработан ряд уникальных тераваттных
многоцелевых импульсных генераторов. На их базе выполнен ряд пионерских
исследований, в результате которых впервые продемонстрирована эффективная
генерация мягкого рентгеновского излучения и мультимегагауссных магнитных полей
в наносекундных Z-пинчах, получены импульсные давления в десятки мегабар при
электродинамическом сжатии конденсированного вещества, получены рекордные
результаты по сверхжесткому рентгеновскому и гамма-излучению при торможении
тераваттных электронных пучков, нашедшие практическое применение.
Он впервые, при участии сотрудников
Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН, выполнил
прямые измерения характеристик плазмы в сильноточных диодах с взрывной эмиссией
электронов. Под руководством Н.А. Ратахина разработаны оригинальные
наносекундные мегаамперные установки тераваттного диапазона мощности СНОП-3,
МИГ, СГМ, по ряду параметров не имеющие аналогов в мире. В уникальной научной
установке России МИГ (многоцелевой импульсный генератор) совмещены практически
все известные способы формирования мощных электрических импульсов. Установка
позволяет получать такие импульсы в широком диапазоне параметров, проводить
эксперименты по электродинамическому сжатию и электровзрыву проводников,
ускорению плазмы, созданию мультимегагауссных магнитных полей и их воздействию
на материалы, формировать сильноточные релятивистские пучки электронов.
Разработан источник точечного
тормозного рентгеновского излучения с рекордными параметрами на основе
плазмонаполненного стержневого диода. Созданы источники импульсного тормозного
излучения с большой облучаемой площадью. Продемонстрирована высокая
эффективность генерирования вспышек рентгеновского излучения с помощью
планарных лайнеров и потоков нейтронов с помощью Z-пинчей. Мощный импульсный
источник нейтронов на основе дейтериевого лайнера с интенсивность 1013 частиц
за импульс, реализованный на уникальной научной установке России ГИТ-12, вошел
в число важнейших достижений по физике в Сибирском отделении РАН за 2018 год.
С 2006 года Н.А. Ратахин — директор
Института сильноточной электроники СО РАН и за этот период в Институте получен
ряд крупных научных результатов. Развернуты исследования по генерированию
мощных фемтосекундных лазерных импульсов и создана не имеющая мировых аналогов
гибридная лазерная система THL-100, на которой получена рекордная мощность
излучения 40 ТВт (результат в числе важнейших достижений СО РАН по физике за
2019 год). Впервые в мире разработан метод ударного возбуждения генераторов
мощных наносекундных СВЧ-импульсов, позволяющий управлять фазой колебания; на
основе нелинейных гиромагнитных линий созданы компактные многоканальные
гигаваттные источники СВЧ-импульсов с когерентным сложением полей излучения и
электронным сканированием (Премия Президента Российской Федерации в области науки
и инноваций для молодых ученых за 2016 год). Ученые ИСЭ СО РАН были удостоены
Общенациональной неправительственной Демидовской премии (2007), международных
научных премий У. Дайка (2008) и Э. Маркса (2019), а также Премии Правительства
Российской Федерации в области образования (2013). В институте под руководством
Н. А. Ратахина возобновлены в значительных объемах разработки и поставки в
российские организации мощной электрофизической техники специального
назначения. Ряд установок, включая источники электромагнитного излучения в
различных частях спектра, создан для предприятий ГК «Росатом». Значительно
возросла активность научного коллектива института в поиске дополнительных
средств финансирования исследований. Выполняется большое число проектов РНФ и РФФИ.
За период с 2015 по 2019 год объем средств, привлеченных помимо субсидии
федерального бюджета, увеличился со 190 до 370 млн. руб. С начала 2019 года в
институте действуют две новые научные лаборатории, укомплектованные молодежными
кадрами.
В совокупности с огромным опытом
разработки и создания в институте коммутаторов и трансформаторов это позволило
за последние 5 лет изготовить и поставить компактные сильноточные
исследовательские установки или их элементы в целый ряд учреждений, среди
которых ТПУ; ИЯФ СО РАН; РФЯЦ-ВНИИЭФ (г. Саров); ФИАН, ТРИНИТИ (г. Троицк);
Национальные лаборатории Сандия, США; Сианьский политехнический университет,
КНР. Интерес ученых и специалистов обусловлен уникальными возможностями
поставляемого оборудования при его малых размерах и невысокой цене.
Осуществляет руководство интеграционной
программой фундаментальных и прикладных научных исследований «Электроразрядные,
пучково-плазменные, лазерные технологии и средства экологического мониторинга
для развития производственно-хозяйственных комплексов Сибири и Дальнего
Востока» в рамках реализации Концепции создания в Томской области
инновационного территориального центра «ИНО Томск».
Из интервью Н.А. Ратахина: «К нам
приезжают нынешние так называемые менеджеры, пытаются сделать из нас
бизнесменов. Говорят, изобретайте, делайте все, а мы будем продавать ваши
установки. В общем, им нужно, чтобы мы превратились в своеобразный «научный
магазин». Но нам-то это не нужно! Это иллюзия, что ученым денег хочется, что
они их очень любят. Говорю им: представьте, что работа — это ваше хобби,
доставляющее вам удовольствие. В этом как раз загадочность натуры ученого. Ему
интересно познавать. Мы получаем наслаждение от процесса поиска, от рождения
новых идей, а не от денег». «Необходимо, чтобы для науки в России были, наконец,
определены точные «правила игры»: лишь при таком условии можно планировать
стратегию развития научных институтов. Это же касается и дальнейшей судьбы
региональных Научных центров, перспективы которых сейчас не вполне ясны. Я
убежден, что бережное сохранение и приумножение всего того, что было создано
нашими предшественниками, выдающимися учеными, должно стать безоговорочным
приоритетом в научной политике. Это касается и процесса исследований, и
традиций организации социального пространства ученых».
Как депутат Думы города Томска (2016-2020),
Н.А. Ратахин добивался реализации муниципальных программ развития в Томском
Академгородке. По его инициативе территория Томского Академгородка дважды вошла
в городскую программу «От томского двора — до олимпийского пьедестала» с
установкой комплексов общефизической подготовки. Оказывал депутатскую поддержку
организациям, действующим в Академгородке: Совету ветеранов, Дому ученых,
профсоюзной организации ТНЦ СО РАН, детскому саду, библиотеке, Академэкоцентру,
детско-юношеской спортивной школе в Академгородке.
Среди учеников Н.А. Ратахина пять
кандидатов и два доктора наук, в том числе один член-корреспондент РАН.
Автор и соавтор более 300 научных
работ, автор авторского свидетельства на изобретение.
Основные труды Н.А. Ратахина: Установка
МИГ — универсальный рентгеновский источник // Вопр. атом. науки и техники.
2001. Вып.3-4. С.3-4 (в соавт.); Дейтериевый лайнер и многопараметрическое
исследование процесса формирования инверсного Z-пинча // Журн. техн. физики.
2002. Т.72, вып.9. С.29-37 (в соавт.); Precursor phenomenon in wire arrays: Model and
experiment // Laser and particle beams. 2001. Vol.19. Р.443-449 (co-auth.); The astrophysical S-faktor
dd-reaktions at keV-energy range // Kerntechnik. 2001. Vol.66, N 1-2. Р.42-46 (co-auth.); On the possibility of compression
to materials multimegabar by megaampere currents with risetimes of tens of
nanoseconds // Proc. of «MEGAGAUSS-9». 2005. P.116-118.
Член редколлегии журнала «Известия высших
учебных заведений. Физика».
Член Президиума Сибирского отделения
РАН, заместитель председателя Объединенного ученого совета по физическим наукам
СО РАН. Сопредседатель регулярно проводимого в Томске международного конгресса
«Потоки энергии и радиационные эффекты» (EFRE).
Член бюро Совета директоров СО РАН, член
Совета ректоров, заместитель председателя Объединенного ученого совета СО РАН
по физическим наукам, председатель ученого и докторского диссертационного
советов при ИСЭ СО РАН, член Межотраслевой конкурсной комиссии по фонду
содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере.
Награжден орденом Трудового Красного
Знамени, медалями.
Ему вручены Почетные грамоты РАН, СО
РАН.
В составе авторского коллектива ему
была присуждена Первая премия ОИЯИ за работу «Исследование реакций между
легкими ядрами в области ультранизких энергий с использованием лайнерной
плазмы».
Отмечен наградами Томской области и
города Томска.