Российский ученый приблизил электронику к миниатюризации

07.04.2010

Российский ученый Иван Олейник и его американский соавтор Мэтиас Батзилл из Южнофлоридского университета в США создали проводник толщиной в несколько атомов

Эта работа имеет огромное прикладное значение в дальнейшем развитии и миниатюризации современной электроники, считают эксперты Национального научного фонда (ННФ) США. Открывается перспектива сохранения в силе эмпирического прогноза одного из основателей компании Intel Гордона Мура, согласно которому число транзисторов на кристалле удваивается каждые 1,5-2 года, передает ИТАР-ТАСС.

Иван Олейник выполнял теоретическую, а Мэтиас Батзилл - экспериментальную часть совместной работы, в рамках которой на поверхности никелевого кристалла выращивался графен - двумерный кристалл атомов углерода толщиной в один атом. Специалисты считают, что графен может со временем заменить кремний в качестве материала для изготовления практически всей электроники. Для этого науке необходимо научиться модифицировать нужным образом свойства этого нового наноматериала.

Это и удалось исследователям. На стыке двух полос графена образовался протяженный дефект с предсказуемой атомной структурой, обладающий выраженными металлическими свойствами. Такой проводник способен решить проблему электрических наноконтактов на атомном уровне. Кроме того, этот дефект может использоваться для создания полевого нанотранзистора, открывая возможность создания электроники на чисто углеродной основе.

Четыре года назад Илья Олейник, защитивший диссертацию в институте химической физики Российской академии наук (РАН), объяснил природу выпрямляющего эффекта в молекулярном диоде. С его помощью был сделан еще один крупный шаг в развитии современных нанотехнологий.

Напомним: в конце прошлого года президент Дмитрий Медведев пообещал, что Россия выделит на развитие нанотехнологий 318 млрд рублей в период до 2015 года. Объем продаж продукции российской наноиндустрии должен достичь около 900 млрд рублей через 5 лет, из них примерно четверть должно прийтись на экспорт.

©РАН 2019