Академику Асееву Александру Леонидовичу - 70 лет!

24.09.2016

Юбилей академика Асеева Александра Леонидовича

 

АКАДЕМИК

Асеев Александр Леонидович

 

АК. АСЕЕВ (jpg, 37 Kб)

Александр Леонидович Асеев родился 24 сентября 1946 года в г. Улан-Удэ.

В 1968 году окончил Физический факультет Новосибирского государственного университета.

В Сибирском отделении РАН с 1968 года. По окончании вуза работал в Институте физики полупроводников (ИФП).

С 2003 по 2013 год - директор Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН.

Председатель Сибирского отделения РАН.

Вице-президент РАН.

Член-корреспондент c 2000 года, академик РАН c 2006 года - Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН.

Специалист в области элементной базы и материалов микро- и наноэлектроники, диагностики полупроводниковых систем пониженной размерности, микро- и наноструктур.

Научная деятельность посвящена изучению атомных механизмов формирования полупроводниковых систем пониженной размерности. Получил принципиально новые данные о роли метастабильных конфигураций точечных дефектов в реакциях взаимодействия между собой, с поверхностностью, атомами примесей и дислокациями в кристаллах кремния и германия. На поверхности кристаллов кремния впервые обнаружил обратимые переходы системы регулярно расположенных моноатомных ступеней при сублимации и росте примесно-индуцированных сверхструктурных доменов.

Исследовал элементарные акты процессов эпитаксиального роста на кремнии. Результаты экспериментов стали основой для развития технологии молекулярно-лучевой эпитаксии и создания ряда приборов полупроводниковой электроники. Ведет работы по получению нанотранзисторов в структурах кремний-на-изоляторе, по разработке новых типов элементов памяти, элементов силовой электроники и солнечной энергетики на кремнии, по материаловедению кремния, направленные на получение высокосовершенных кристаллов большого диаметра.

Под его руководством в институте создан современный научно-технологический комплекс для исследования полупроводниковых микро- и наноструктур с квантовыми свойствами, обоснована технология молекулярно-лучевой эпитаксии для получения фоточувствительных слоев кадмий ртуть теллур и полупроводниковых структур с квантовыми ямами для нового поколения инфракрасных фотоприемных устройств.

Под его руководством защищено 4 кандидатских и 2 докторских диссертации.

Автор и соавтор более 250 научных работ, из них 5 монографий и 9 патентов.

Член редколлегий журналов РАН: «Физика и техника полупроводников» и «Автометрия», «Известия ВУЗов».

Заместитель председателя Координационного совета по инновационной деятельности и интеллектуальной собственности РАН.

Член Межакадемического совета по проблемам развития Союзного государства (Российская часть) .

Иностранный член Национальной академии наук Беларуси.

Награжден медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени.

 

 

Подразделы

Объявления

©РАН 2019