http://www.ras.ru/news/shownews.aspx?id=bde62920-e4c9-4e44-ad6e-341bb478c502&print=1
© 2017 Российская академия наук

Академику Асееву Александру Леонидовичу - 65 лет!

24.09.2011

Юбилей академика Асеева Александра Леонидовича

Академик

Асеев Александр Леонидович 

академик Асеев Александр Леонидович (jpg, 103 Kб)

 

Александр Леонидович Асеев родился 24 сентября 1946 года в Улан-Удэ. В 1968 году окончил физический факультет Новосибирского государственного университета. В Сибирском отделении РАН с 1968 года. По окончании вуза работал в Институте физики полупроводников (ИФП). С 2003 года - директор Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. Председатель СО РАН.

Член-корреспондент c 2000 г., академик c 2006 - Отделения нанотехнологий и информационных технологий.

Научная деятельность посвящена изучению атомных механизмов формирования полупроводниковых систем пониженной размерности. Получил принципиально новые данные о роли метастабильных конфигураций точечных дефектов в реакциях взаимодействия между собой, с поверхностностью, атомами примесей и дислокациями в кристаллах кремния и германия. На поверхности кристаллов кремния впервые обнаружил обратимые переходы системы регулярно расположенных моноатомных ступеней при сублимации и росте примесно-индуцированных сверхструктурных доменов.

Исследовал элементарные акты процессов эпитаксиального роста на кремнии. Результаты экспериментов стали основой для развития технологии молекулярно-лучевой эпитаксии и создания ряда приборов полупроводниковой электроники. Ведет работы по получению нанотранзисторов в структурах кремний-на-изоляторе, по разработке новых типов элементов памяти, элементов силовой электроники и солнечной энергетики на кремнии, по материаловедению кремния, направленные на получение высокосовершенных кристаллов большого диаметра.

Под его руководством в институте создан современный научно-технологический комплекс для исследования полупроводниковых микро- и наноструктур с квантовыми свойствами, обоснована технология молекулярно-лучевой эпитаксии для получения фоточувствительных слоев кадмий ртуть теллур и полупроводниковых структур с квантовыми ямами для нового поколения инфракрасных фотоприемных устройств.

Под его руководством защищено 4 кандидатских и 2 докторских диссертации.

Автор и соавтор 200 научных работ, из них 5 монографий и 9 патентов.

Член редколлегий журналов РАН «Физика и техника полупроводников» и «Автометрия», «Известия ВУЗов».

Вице-президент РАН. Член Президиума РАН. Зам. председателя Координационного совета по инновационной деятельности и интеллектуальной собственности РАН.

А.Л. Асеев награжден медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени.