http://www.ras.ru/news/shownews.aspx?id=bf43fa52-c5ec-44d9-a88d-61311565315f&print=1© 2024 Российская академия наук
В Институте физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН в рамках партнерского договора с АО «Экран — оптические системы» размещена единственная за Уралом установка молекулярно-лучевой эпитаксии 4-го поколения фирмы Riber для производства полупроводниковых гетероструктур на основе арсенида галлия. Такие структуры применяются при создании телекоммуникационных систем, солнечных элементов, производстве микроэлектроники, изучении космоса...(читать полностью)
Источник: Наука в Сибири