http://www.ras.ru/news/shownews.aspx?id=cf31c5af-d74a-4d5d-819d-6079327ad689&print=1
© 2020 Российская академия наук

Академику Горбацевичу Александру Алексеевичу - 65 лет!

21.11.2020

Юбилей академика Горбацевича Александра Алексеевича

Академик
Горбацевич Александр Алексеевич

  (jpg, 54 Kб)

Александр Алексеевич Горбацевич родился 21 ноября 1955 года в г. Молодечно Белорусской ССР.

Учился в школе №3 г. Могилева, окончил физико-математическую школу-интернат №18 им. А.Н. Колмогорова при МГУ. В 1979 году окончил Физико-технический факультет Московского института электронной техники (ныне — Национальный исследовательский университет «МИЭТ»). Далее в МИЭТ: ассистент, младший научный сотрудник, доцент, профессор. С 1999 года по настоящее время — зав. кафедрой квантовой физики и наноэлектроники МИЭТ.

В 2008-2011 гг. — первый заместитель по научной и учебной работе председателя НОЦ РАН в Санкт-Петербурге академика Ж.И. Алферова, с 2010 года — первый проректор Академического университета РАН. С 2011 г. - главный научный сотрудник Лаборатории квантового дизайна молекулярных и твердотельных наноструктур ФГБУН «Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН».

В 1982 году А.А. Горбацевич защитил кандидатскую диссертацию, в 1991 году — докторскую диссертацию, профессор.

Член-корреспондент РАН c 2008 года, академик РАН c 2019 года — Отделение нанотехнологий и информационных технологий.

Академик А.А. Горбацевич — российский ученый в области физики конденсированного состояния, элементной базы микро- и наноэлектроники и нанотехнологий в электроники, где им получен ряд фундаментальных результатов.

А.А. Горбацевичем построена единая теория резонансов, антирезонансов и связанных состояний в континууме в квантовых проводниках и волноводах. Предложен новый физический принцип работы молекулярного интерференционного транзистора со сверхмалым энергопотреблением при комнатной температуре, связанный со спонтанным нарушением РТ-симметрии в окрестности особой точки открытой квантовой системы, образованной молекулой и электродами. Исследованы новые принципы обработки и преобразования информации, основанные на управляемой перестройке когерентных состояний квантовых гетероструктур, содержащих туннельно-связанные квантовые ямы, и предложены новые типы функционально-интегрированных логических квантовых элементов. В области развития методов инженерии зонной структуры и волновых функций описаны новые типы локализованных на гетероинтерфейсе состояний, установлена структура и физический смысл обобщенных граничных условий для волновых функций в методе огибающей и впервые предложен универсальный алгоритм вычисления параметров граничных условий из данных рассеяния микроскопической модели, исследованы новые резонансы в полупроводниковых гетероструктурах и их оптические аналоги, перспективные для создания новых метаматериалов. Показана возможность реализации в наногетероструктурах систем с нетривиальной макроскопической симметрией и сформированы основы нового направления — инженерии упорядоченных состояний. Организована разработка новых базовых элементов наноэлектроники на основе наногетероструктур, впервые в России (и впервые в мире по планарной технологии) созданы экспериментальные образцы интегральных схем на основе резонансно-туннельных гетероструктур; впервые в России созданы экспериментальные образцы интегральных схем на основе наногетероструктур для систем подповерхностной локации и цифровой осциллографии гигагерцового диапазона частот.

Выполнены первые систематические исследования спонтанных токовых состояний в кристаллах, которые впоследствии приобрели особую актуальность в связи с открытием топологических изоляторов, исследовано новое упорядоченное состояние кристаллов со спонтанными токами - тороидное состояние, независимо от теорий композитных фермионов и сверхтекучего He3A введено представление о самосогласованном псевдомагнитном поле в тороидном магнетике и на этой основе предложена и обоснована первая модель аномально сильного диамагнетизма (сверхдиамагнетизма) несверхпроводящей природы.

В области теории сверхпроводимости А.А. Горбацевичем построена зонная теория фазового расслоения, с единых позиций объяснившая многочисленные разрозненные экспериментальные факты, предложена оригинальная модель кулоновского механизма сверхпроводимости в окрестности точки диэлектрической неустойчивости, описаны микроскопические механизмы реализации сверхпроводящих состояний с нетривиальной симметрией параметра порядка.

В 1994 году А.А. Горбацевич совместно с Ю.В. Копаевым организовали первый в стране Научно-образовательный центр ФИАН и МИЭТ «Квантовые приборы и нанотехнологии» — перед Центром ставилась задача не только описывать, но предсказывать и создавать системы с определенными новыми квантовыми эффектами. Далее А.А. Горбацевич руководил Центром 15 лет. Форма научно-образовательного центра (НОЦ) оказалась очень удачной —позже академик Ж.И. Алферов независимо реализовал ее же: создал НОЦ в Санкт-Петербурге, куда А.А. Горбацевич переехал и принял активное участие в организации Академического университета, получившего статус исследовательского университета.

А.А. Горбацевич в МИЭТ читал курсы: «Физика твердого тела и полупроводников», «Квантовая теория и статистическая физика», в настоящее время читает курсы «Наноэлектроника» и «Сверхпроводниковая электроника».

Из интервью А.А. Горбацевича: «В чем у нас сегодня проблема образования? Это низкий научный уровень вузов, который во многом объясняется низкой материально-технической базой. Министерство образования и науки РФ пытается решить эту проблему закупкой оборудования. Но зачастую на нем уже некому работать. Поэтому получить быструю отдачу от инвестиций в высшее образование и не удается. Вузовская среда достаточно инертна — она уже адаптировалась к неблагоприятным социальным условиям, научилась выживать, решать свои социальные проблемы, но не способна решать задачи научно-технического развития. Тем более — опережающего». «Экономика современной России не очень востребует результаты научного труда — не хватает квалифицированных специалистов, способных эти результаты воспринимать и внедрять. Не полностью используемый научный ресурс РАН можно задействовать для быстрой и эффективной подготовки кадров. При этом просто организация базовых кафедр недостаточно эффективна, а переход академических институтов под эгиду вузов нереален. Но если развить образовательную деятельность внутри РАН, будет очень быстрая отдача в области подготовки кадров. И вот это — главная концепция, которая лежит в основе Санкт-Петербургского академического университета. Обязанность каждого научного сотрудника — творческая исследовательская деятельность и обучение студентов».

Им подготовлено 4 кандидата наук.

Автор и соавтор более 100 научных работ, из них 3 монографии и 2 патентов.

А.А. Горбацевич - заместитель председателя Научного совета РАН «Квантовые технологии», член Научного совета по физике полупроводников РАН, Научного совета РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно- вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания», член редколлегий журналов «Микроэлектроника», «Российские нанотехнологии», «Известия вузов. Электроника», «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника», член диссертационных советов.

Почетный работник высшего профессионального образования РФ.

Лауреат премии Правительства РФ.