http://www.ras.ru/news/shownews.aspx?id=d4fb98cd-33f0-4f86-9b3e-041b26f9e50f&print=1© 2024 Российская академия наук
АКАДЕМИК
СИГОВ АЛЕКСАНДР СЕРГЕЕВИЧ
Александр Сергеевич Сигов родился 31 мая 1945 года в г. Донецке.
В 1968 году окончил Физический факультет Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова по кафедре квантовой теории. В 1971 году окончил аспирантуру Физфака МГУ и был распределен в МИРЭА, где и работает по настоящее время. С 1998 по 2013 г.— ректор МИРЭА. С 2013 года — Президент МГТУ МИРЭА.
Член-корреспондент с 2006 года, академик РАН с 2011 года - Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН.
Специалист в области элементной базы информационных систем, твердотельной электроники и материаловедения.
Основные научные результаты:
создано новое направление – активные диэлектрики для электронно-компонентной базы, в рамках которого разработаны и проектируются радиационностойкие высокоскоростные запоминающие устройства (ЗУ), микроэлектромеханические, системы, впервые в России изготовлены сегнетоэлектрические ЗУ и наногетероструктуры для устройства фотониники;
исследован и внедрен в промышленность новый класс диэлектрических материалов для формирования диэлектрических слоев многоуровневой разводки интегральных схем;
выполнены фундаментальные исследования свойств гетероструктур на основе пленок ферроиков, роли дефектов разных типов и процессов самоорганизации в упорядоченных структурах для перспективных устройств наноэлектроники, включая системы с фазовыми превращениями, гигантским магнетосопротивлением, бистабильностью (результаты использованы при создании магнитных накопителей, датчиков магнитного поля, интегральных ЗУ).
Он подготовил 10 докторов и 17 кандидатов наук.
Автор и соавтор более 300 научных трудов, 7 монографий, 14 учебников и 33 изобретения.
Главный редактор журнала «Наноматериалы и наноструктуры», член редакционных коллегий и советов международных и российских журналов - «Известия РАН (серия физическая)», «Микросистемная техника», «Integrated Ferroelectrics» и др.
Член Научного совета при Совете Безопасности РФ, член бюро – Председатель секции по физике сегнетоэлектриков и диэлектриков Объединенного Совета РАН по физике конденсированных сред и ряда советов Минобрнауки России, Европейского физического общества и Института электроинженеров (Англия), заместитель председателя Межгосударственного совета по микронаномехатронике.
Лауреат Государственной премии РФ.
Лауреат премии Правительства РФ (трижды).
Заслуженный деятель науки РФ.
Награжден орденом «За заслуги перед Отечеством» IV степени.