Состоялся Научный совет ОНИТ РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания»

20.11.2020



18 ноября в Российской академии наук очно и в формате видеоконференцсвязи прошел Научный совет ОНИТ РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания». Заседание Научного совета провели председатель Научного совета, академик-секретарь Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, академик РАН Г.Я. Красников, заместитель председателя Научного совета член-корреспондент РАН В.Ф. Лукичев.

С докладами на Научном совете выступили:

  • д.т.н. Зацаринный Александр Алексеевич (ФИЦ ИУ РАН): «Актуальность проблем моделирования элементной компонентной базы для информационно-управляющих систем в условиях цифровой трансформации общества»;

  • н.с. Жевненко Дмитрий Алексеевич (МФТИ, АО «НИИМЭ»): «Моделирование серии переключений мемристивной структуры»;

  • д.т.н. Петросянц Константин Орестович (МИЭМ НИУ ВШЭ): «TCAD-SPICE моделирование субмикронных и нанометровых элементов КМОП СБИС с учетом радиационных и тепловых эффектов в рамках российско-китайского проекта»;

  • д.ф.-м.н. Абгарян Каринэ Карленовна (ФИЦ ИУ РАН): «Проблемы моделирования многомасштабных систем»;

  • к.ф.-м.н. Шабельникова Яна Леонидовна (ИПТМ РАН): «Ионно-лучевая литография: моделирование взаимодействия ионов с органическими резистами»;

  • д.ф.-м.н. Сарычев Михаил Евгеньевич (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН). Моделирование отказов элементов металлизации микро- и наноэлектронных устройств под действием электромиграции;

  • к.ф.-м.н. Теплов Георгий Сергеевич (АО «НИИМЭ»): «Моделирование технологического процесса фотолитографии в микроэлектронике с применением алгоритмов машинного обучения»;

  • Зенченко Николай Владимирович (ИСВЧПЭ РАН): «Проблемы моделирования тепловых процессов в монолитных интегральных схемах нитрида галлия на различных подложках»

Участники Научного совета обсудили проблемы моделирования перспективной электронной компонентной базы с учетом широкого спектра влияющих факторов, а также подходы к ускорению ее выпуска в части оптимизации этапов подготовки и выполнения фото- и лучевой литографии. Рассмотрены различные уровни моделирования от системообразующего в привязке к цифровой трансформации общества России, до построения моделей в различных пространственных и временных масштабах.

Подразделы

Объявления

©РАН 2020