Академику Красникову Геннадию Яковлевичу - 60 лет!

30.04.2018

Юбилей академика Красникова Геннадия Яковлевича

 

Академик

Красников Геннадий Яковлевич

АК. КРАСНИКОВ (jpg, 116 Kб)

 

Геннадий Яковлевич Красников родился 30 апреля 1958 года в Тамбове.

В 1981 году окончил Физико-технический факультет Московского института электронной техники.

C 1981 года — освобожденный секретарь комитета комсомола НИИМЭ и завода «Микрон», далее — инженер, ведущий инженер, начальник модуля, начальник цеха, заместитель генерального директора, генеральный директор ОАО «НИИМЭ и Микрон» (с 1991 по 2016 год), генеральный директор АО «НИИМЭ» (ранее исследовательский центр ОАО «НИИМЭ и Микрон», выделенный с 2011 года в отдельное дочернее предприятие). В 1999-2003 гг. — генеральный директор концерна «Научный центр» (с 2005 года ОАО «Ситроникс»).

В настоящее время — генеральный директор АО «НИИ молекулярной электроники», председатель Совета директоров ПАО «Микрон», вице-президент ОАО «СИТРОНИКС». Одновременно — зав. кафедрой «Субмикронная технология СБИС» Московского государственного института электронной техники, и возглавляет базовую кафедру микро- и наноэлектроники в Московском физико-техническом институте.

Член-корреспондент РАН с 1997 года, академик РАН с 2008 года — Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН.

Специалист в области разработки микросхем элементной базы современных вычислительных средств и автоматики.

Академик Г.Я. Красников — советский и российский ученый в области физики полупроводниковых приборов, ведущий специалист в области микро- и наноэлектроники. Сфера его научной деятельности — разработка сверхбольших интегральных схем (СБИС), решение проблем обеспечения качества их промышленного производства, физика полупроводников, полупроводниковых приборов.

Им созданы научные и технологические основы формирования полупроводниковых структур с управляемыми и стабильными электрофизическими параметрами, а также выявлены закономерности неравновесных процессов в переходных областях границ раздела систем кремний — диоксид кремния — металл на всем технологическом маршруте изготовления интегральных микросхем.

Г.Я. Красниковым создан комплекс оригинальных научно-обоснованных технических решений, охватывающих весь технологический маршрут изготовления КМОП микросхем, являющихся основой современной теории формирования элементной базы СБИС, где определены закономерности возникновения и поведения фоновых примесей, как по границам компонентов систем «металл-окисел-кремний», так и по всей системе в целом при изготовлении микросхем с минимальными топологическими размерами от 180 нм до 65 нм.
Сформирована современная теория стабилизации электрических параметров интегральных схем.

Им подготовлено 3 доктора и 7 кандидатов наук.

Г.Я. Красников — автор 279 работ, из них 3 монографий, он получил более 40 авторских свидетельств и патентов.

Член редколлегий журналов «Микроэлектроника» РАН, «Нано- и микросистемная техника» и «ЭЛЕКТРОНИКА: наука, технология, бизнес».
Главный редактор журнала Электронная техника. Серия «Микроэлектроника» и «Микроэлектроника».

Член Президиума РАН, председатель научного Совета РАН «Физико-химические основы полупроводникового материаловедения».

Состоял членом Совета при Президенте РФ по науке, технологиям и образованию. Сопредседатель Совета по наукоемким технологиям при Комитете Государственной Думы РФ, член Совета по координации научных исследований при Президиуме РАН по стратегическим информационным технологиям, в том числе по проблемам создания суперкомпьютеров и программного обеспечения к ним.

Член Совета генеральных и главных конструкторов, ведущих ученых и специалистов в области высокотехнологичных секторов экономики при Председателе Правительства РФ, заместитель председателя секции «Информационные технологии и вычислительные системы» Совета по присуждению премий Правительства РФ.

Член Консультативного научного Совета Фонда «Сколково». Член Совета по научной и технической политике при Министерстве обороны России.

Входит в состав Совета руководителей EMEA Leadership Council — Глобального альянса производителей полупроводников (GSA).

Награжден орденом «За заслуги перед Отечеством» IV степени, орденом Почета, орденом Дружбы.

Лауреат Государственной премии РФ, дважды — премии Правительства России.

Удостоен Серебряной медали Международного салона изобретений «Eureka - Brussel'96».

Удостоен Золотой и Серебряной медалей Международного салона изобретений «Eureka - Brussel'97», 4-х Серебряных медалей Международного салона изобретений «Eureka - Brussel'2000», медали ЮНЕСКО «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий».

 

 

Подразделы

Объявления

©РАН 2019