И.Г. Неизвестный – специалист в области физики полупроводников и физических основ полупроводниковых приборов. Сфера научной деятельности И.Г. Неизвестного: взаимодействие излучения с полупроводниковыми гетероструктурами, компьютерное моделирование формирования тонких поверхностных слоёв, квантовая криптография, поверхностно-барьерные биосенсоры. И.Г. Неизвестный - член Научного совета РАН по физике полупроводников, Объединенного совета по физико-техническим наукам СО РАН, заместитель главного редактора журнала «Микроэлектроника», член редакционных коллегий журналов «Поверхность. Рентгеновские,синхротронные и нейтронные исследования», «Physics of low dimensional structures», «Sensor electronics and microsystem technologies», Украинского физического журнала. Почётный профессор Одесского Национального Университета им. И,И, Мечникова. Член-учредитель Азиатско-Тихоокеанской Академии Материаловедения. И.Г. Неизвестный - заведующий филиалом Кафедры полупроводниковых приборов и микроэлектроники Новосибирского государственного технического университета. Им подготовлено 8 докторов и 12 кандидатов наук. И.Г. Неизвестный - автор и соавтор 170 научных работ, из них 5 монографий. И.Г. Неизвестный - лауреат Государственной премии РФ по науке и технике. И.Г. Неизвестный награждён орденом Трудового Красного Знамени. Ключевые слова Физики полупроводников. Физические основы полупроводниковой микроэлектроники.

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад