Каплянский Александр Александрович

направления деятельности

Каплянский А.А. – специалист в области оптической спектроскопии твердого тела.
Цикл его работ посвящен исследованиям экситонов в полупроводниках. Он открыл явление оптической анизотропии кубических кристаллов в области экситонного резонанса. Им обнаружены расщепление линий экситонных переходов под действием одноосного упругого сжатия кристаллов и экситонная структура в спектрах фотопроводимости полупроводников.
Им открыто обратимое расщепление спектральных линий примесных спектров в кристаллах под действием направленной упругой деформации и разработан «пьезоспектроскопический» метод определения локальной симметрии примесных центров и точечных дефектов в кристаллах.
Каплянским А.А. с сотрудниками открыт и детально изучен структурный фазовый ферроэластический переход в новом классе диэлектрических кристаллов (галогениды ртути), обладающих уникальными анизотропными свойствами.
В серии работ Каплянский А.А. с сотрудниками изучил оптическими методами терагерцовые неравновесные фононы в кристаллических и некристаллических диэлектриках и полупроводниках, в системах с квантовыми ямами, керамиках, волокнах: режимы их распространения, рассеяние на дефектах, взаимодействие с электронными уровнями примесей и экситонами и т.д.
Каплянский А.А. открыл в примесных диэлектриках (концентрированный рубин) спонтанное образование под действием оптического возбуждения устойчивых доменов сильного (~10-6 В/см) электрического поля, установил механизм аномальных фотоэлектрических явлений в рубине. Он выяснил роль инверсной локальной симметрии примесных центров в явлении выжигания провалов в спектрах примесей.
В последнее время Каплянский А.А. с сотрудниками развивает исследования пористых диэлектриков, в частности, им наблюдались неравновесные нижайшие размерно-квантовые субтерагерцовые акустические колебания сферических наночастиц, изучались «фотонные кристаллы».
Он является профессором Санкт-Петербургского госуниверситета, удостоен ряда международных премий.

Ключевые слова

Оптические исследования полупроводников и диэлектриков

Home page
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад