Кведер В.В. - физик-экспериментатор, специалист в области физики полупроводников. Кведер В.В. широко известен своими пионерскими работами в области электронных свойств дислокаций и других протяженных дефектов в полупроводниках и внес существенный вклад в развитие «инженерии дефектов» в кремнии с дислокациями, имеющей большое практическое значение для современной солнечной энергетики. В последние годы Кведер В.В. также активно занимается исследованиями фуллеренов, где им был сделан ряд пионерских работ. В работах Кведера В.В. впервые экспериментально обнаружены и исследованы различные эффекты, связанные с существованием одномерных электронных зон на дислокациях в кремнии. Им был обнаружен и исследован одномерный вариант эффекта Рашбы («комбинированный резонанс») в ID зонах и показано, что этот эффект является мощным инструментом для исследования электронных состояний протяженных дефектов и других наноразмерных систем. В работах Кведера В.В. были также подробно исследованы процессы рекомбинации электронов и дырок на дислокациях, включая различные спин-зависимые процессы, исследовано взаимодействие некоторых примесей с дислокациями в кремнии и влияние этих примесей на электронные свойства дислокаций, обнаружена пассивация глубоких дислокационных дефектов водородом и исследованы процессы гетерирования примесей в кремнии с дислокациями. Ключевые слова Физика полупроводников

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад