Сибельдин Н.Н.

Публикации

    Страницы:   1   2   3   4   5   6   7   8 


  1.   Сибельдин Н.Н. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М. ,     Заварицкая Т.Н. ,     Мельник Н.Н. ,     Погосов А.О.
    Особенности формирования квантовых ям при низкотемпературной эпитаксии германия на кремнии. "Нанофотоника". Материалы совещания. Нижний Новгород, 2002 , с. С.173-175

  2.   Сибельдин Н.Н. ,     Цветков В.А. ,     Скориков М.Л.
    Кинетика образования экситонных комплексов в квантовых ямах нелегированных GaAs/AlGaAs структур. V Российская конференция по физике полупроводников. Нижний Новгород, 2001 , с. С.131

  3.   Сибельдин Н.Н. ,     Цветков В.А. ,     Скориков М.Л.
    Особенности кинетики образования экситонных комплексов в квантовых ямах нелегированных GaAs/AlGaAs структур при надбарьерным фотовозбуждении. "Нанофотоника". Материалы совещания. Нижний Новгород, 2001 , с. С.115-118

  4.   Сибельдин Н.Н. ,     Цветков В.А. ,     Скориков М.Л.
    Фотомодуляционная спектроскопия люминесценции и резонансного рэлеевского рассеяния в гетероструктурах с GaAs/AlGaAs квантовыми ямами. XXII Съезд по спектроскопии. Звенигород, 2001: Тез.докл. , с. С.71

  5.   Сибельдин Н.Н. ,     Болтаев А.П. ,     Лойко Н.Н. ,     Рзаев М.М.
    Энергетические уровни в одиночной квантовой яме в сильном электрическом поле. Нанофотоника. Материалы совещания, 20-23 марта 2000, г.Нижний Новгород , с. С.52-55

  6.   Сибельдин Н.Н. ,     Тимофеев В.Б.
    Экситонные состояния, межчастичные взаимодействия и оптические процессы в полупроводниковых низкоразмерных системах. 2 Российско-Украинский семинар "Нанофизика и наноэлектроника". Киев, 2000: Тез. докл. , с. С.10-11

  7.   Сибельдин Н.Н. ,     Цветков В.А. ,     Этьен Б.. ,     Скориков М.Л.
    Перенос энергии фотовозбуждения между квантовыми ямами в GaAs/AlGaAs структурах. 4-ая Рос. конф. по физ. полупроводников. Новосибирск. Академгородок. , с. С.137

  8.   Виноградов В.С. ,     Сибельдин Н.Н. ,     Болтаев А.П. ,     Пудонин С.А. ,     Лойко Н.Н. ,     Рзаев М.М.
    Влияние электрического поля на положение уровней энергии в потенциальной яме. 4-ая Рос. конф. по физ. полупроводников. Новосибирск. Академгородок. , с. С.192

  9.   Сибельдин Н.Н. ,     Цветков В.А. ,     Этьен Б.. ,     Скориков М.Л. ,     Муляров Е.А.
    Экситонные состояния в структурах с мелкими квантовыми ямами. Нанофотоника. Мат-лы совещ., Нижний Новгород, 15-18 марта 1999 г. , с. С.156-160

  10.   Сибельдин Н.Н. ,     Болтаев А.П. ,     Лойко Н.Н. ,     Рзаев М.М.
    Отрицательная емкость в Si/Ge структурах с квантовыми ямами. Нанофотоника. Мат-лы совещ., Нижний Новгород, 15-18 марта 1999 г. , с. С.262-264


Home page
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а) 		Назад