Сибельдин Н.Н. ,     Болтаев А.П. ,     Лойко Н.Н. ,     Рзаев М.М. Энергетические уровни в одиночной квантовой яме в сильном электрическом поле. Нанофотоника. Материалы совещания, 20-23 марта 2000, г.Нижний Новгород , с. С.52-55   Виноградов В.С. ,     Сибельдин Н.Н. ,     Болтаев А.П. ,     Пудонин С.А. ,     Лойко Н.Н. ,     Рзаев М.М. Влияние электрического поля на положение уровней энергии в потенциальной яме. 4-ая Рос. конф. по физ. полупроводников. Новосибирск. Академгородок. , с. С.192   Сибельдин Н.Н. ,     Болтаев А.П. ,     Лойко Н.Н. ,     Рзаев М.М. Отрицательная емкость в Si/Ge структурах с квантовыми ямами. Нанофотоника. Мат-лы совещ., Нижний Новгород, 15-18 марта 1999 г. , с. С.262-264   Виноградов В.С. ,     Болтаев А.П. ,     Лойко Н.Н. ,     Казаков И.П. ,     Цехош В.И. ,     Рзаев М.М. Измерение подвижносити носителей заряда в квантовых ямах. III Всерос. конф. по физ. полупроводников. Полупроводники '97. Тез. , с. С.AI-3   Пенин Н.А. ,     Максимовский С.Н. ,     Нолле Э.Л. ,     Лойко Н.Н. ,     Петров А.Э. ,     Турьянский А.Г. Зависимость концентрации углерода на поверхности эпитаксиальных пленок GaAs от величины разориентации подложки относительно кристаллографической плоскости. Физ. тверд. тела , Т.24,N9 , с. C.2595-2598 , 01.1982   . ,     Сибельдин Н.Н. ,     Болтаев А.П. ,     Корняков Н.В. ,     Лойко Н.Н. ,     Турьянский А.Г. ,     Рзаев М.М. Эффекты накопления носителей заряда и отрицательная дифференциальная проводимость в системе квантовых ям. Всерос. научно-техн. конф. "Микро- и наноэлектроника-98", Звенигород, 26-30 апреля 1999 , Т.1 , с. С.2-6 , 01.1999   Сибельдин Н.Н. ,     Болтаев А.П. ,     Лойко Н.Н. ,     Рзаев М.М. Энергетические уровни в одиночной квантовой яме в сильном электрическом поле. Известия Академии наук. Сер.физическая , Т.65,N2 , с. C.211-213 , 01.2001

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад