Родился 01.07.1958, Ленинград В 1981 г. окончил Факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института (ЛЭТИ) им. В.И. Ульянова (Ленина), затем занимался научной деятельностью в Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе (ФТИ) АН СССР – затем РАН (г. Санкт-Петербург). В 1986 г. защитил кандидатскую диссертацию «Электрофизические свойства арсенида галлия, арсенида галлия алюминия и гетероструктур с двумерным электронным газом на их основе, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии», в 1999 г. защитил докторскую диссертацию «Гетероструктуры с квантовыми точками (получение, свойства, лазеры)». В 2006 г. избран членом-корреспондентом РАН по Отделению физических наук РАН (специальность «физика»). Член-корреспондент РАН c 25.05.2006 - Отделение физических наук РАН Главный редактор c 10.03.2020 - Письма в "Журнал технической физики" РАН (Дирекция)

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад