Двуреченский А.В. – специалист по радиационным явлениям, атомной структуре, электронным процессам в полупроводниковых низкоразмерных системах и приборах на их основе. Основные научные результаты Двуреченского А.В.: разработана с сотрудниками технология нового класса полупроводниковых структур с нанокристаллами германия в кремнии (двухмерные и трехмерные ансамбли квантовых точек) на основе исследованных морфологических изменений поверхности при росте из молекулярных, ионно-молекулярных пучков и последующего лазерного отжига; разработаны методы, обеспечивающие повышение однородности ансамбля квантовых точек по размерам; выполнены пионерские работы по изучению свойств созданных наноструктур, выявлены одноэлектронные и коллективные эффекты, установлены электронная структура одиночных и ансамбля туннельно-связанных квантовых точек, закономерности переноса заряда, оптических переходов и спиновых состояний; обнаружен и изучен ряд новых парамагнитных центров; на основе полученных фундаментальных результатов разработаны и созданы новые кон-струкции фотоприемников, элементов памяти, созданы одноэлектронные транзисторы, резо-нансно-туннельные диоды на кремниевых структурах с квантовыми точками. Двуреченский А.В. ведет преподавательскую работу, являясь профессором Новосибирского государственного университета. Двуреченский А.В. – член бюро Научного совета по радиационной физике твердого тела РАН, Научного совета по физике полупроводников РАН, редколлегии журнала «Известия вузов, материалы электронной техники», заместитель председателя диссертационного совета при ИФП СО РАН. Ключевые слова Наноэлектроника

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад