Хохлов Д.Р. – специалист в области физики полупроводников. Научные интересы Хохлова Д.Р. связаны с исследованием свойств узкощелевых полупроводников и с возможностями практического применения данных материалов. Хохлов Д.Р. обнаружил и исследовал новые физические явления: гигантское отрицательное магнитосопротивление с амплитудой до 106; локализация и делокализация в сверхсильных магнитных полях; СВЧ-стимуляция задержанной фотопроводимости; СВЧ-резонанс задержанной фотопроводимости; селективная фононно-стимулированная фотопроводимость. Хохлов Д.Р. разработал физические принципы работы новых фотоприемных устройств инфракрасного и терагерцового диапазонов и сконструировал инфракрасный радиометр нового типа. Хохлов Д.Р. предложил и экспериментально обосновал возможность реализации высокочувствительной «непрерывной» фокальной матрицы изображения принципиально нового типа, работающей в терагерцовом диапазоне. Помимо вышеперечисленных областей в настоящее время Хохлов Д.Р. развивает ряд новых направлений, в частности, исследование транспортных и оптических свойств супрамолекулярных органических полупроводников, нитридов III группы и некоторых других материалов. Хохлов Д.Р. – лауреат премии имени И.И. Шувалова МГУ им. М.В. Ломоносова. Он разработал и читает ряд новых курсов лекций. Хохлов Д.Р. является членом Научного совета РАН по физике полупроводников, членом ряда экспертных советов. Ключевые слова Физика полупроводников

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад