Руководитель Отделения Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, 1934 года рождения, академик РАН, доктор физико-математических наук, профессор, лауреат Ленинской и Государственной премий СССР, Государственной премии и премии Правительства РФ. Грехов И.В. является известным ученым в области силовой полупроводниковой электроники и импульсной техники. В 1960 – 1975 гг. он был одним из создателей в СССР новой отрасли промышленности - силового полупроводникового приборостроения и был удостоен за эту работу Ленинской премии (1966 г.). Проведенный им затем цикл исследований привел к открытию нескольких физических явлений, позволивших разработать новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами, увеличившие на порядки величины их импульсную мощность. На основе этих исследований было создано новое научно-техническое направление – силовая полупроводниковая импульсная энергетика, в которой Россия сейчас занимает лидирующие позиции в мире. За этот цикл работ И.В. Грехову в 1987 г. была присуждена Государственная премия СССР как руководителю работы, а в 2002 г. – Государственная премия России на новые исследования в этом направлении. За последние пять лет И.В. Греховым совместно с промышленностью была выполнена разработка и организация производства нового поколения силовых диодов и тиристоров, конкурентоспособных на мировом уровне. За эту работу в 2006 г. ему была присуждена премия Правительства РФ, как руководителю работы. В это же время во ФТИ им. А.Ф. Иоффе им был проведен цикл исследований, в результате которого был предложен и совместно с ЗАО ВЗПП-Микрон разработан новый прибор силовой микроэлектроники – интегральный тиристор с полевым управлением, а также ультрабыстрый диод; организация промышленного производства этих приборов позволит резко уменьшить зависимость Российской силовой электроники и преобразовательной техники от импорта элементной базы. Была также разработана конструкция и технология первых в России силовых приборов на основе карбида кремния – диодов Шоттки и интегральной структуры биполярного диода с диодом Шоттки, создан первый в мире карбидкремниевый прибор импульсной техники – наносекундный размыкатель тока. Под руководством И.В. Грехова защищено 30 кандидатских диссертаций, среди его учеников 10 докторов наук. И.В. Грехов является членом ряда научных советов, в том числе научного совета по мощной импульсной энергетике РАН, Совета по комплексной проблеме «Электрофизика, электроэнергетика и электротехника» РАН, Научно-Координационного совета Федеральной Целевой Программы 2008-2012 гг. Им опубликованы 4 монографии, более 500 научных работ, он является автором свыше 150 изобретений и патентов, ему присвоено почетное звание «Заслуженный изобретатель РСФСР» (1975). И.В. Грехов награжден орденом «Дружбы народов» (1981), орденом Почета (1999); орденом Дружбы (2010). Ключевые слова Электрофизика. Сильноточная электроника. Импульсная энергетика.

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад