Родился 09.02.1968, г. Ленинград Выпускник (1992) Ленинградский электротехнический институт (оптико-электронные приборы). ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН (с 1992), СПб ФТНОЦ РАН (с 2004), АФТУ РАН (с 2006), Санкт-Петербургский Академический университет – научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (с 2010). К.ф.-м.н. (1996), д.ф.-м.н. (2002). Член-корреспондент c 29.05.2008 - Отделение нанотехнологий и информационных технологий (наноэлектроника). Осуществлял совместные научные исследования в Хебейском исследовательском институте полупроводников (КНР), Университете Калифорнии в Беркли (США), Индустриально-технологическом исследовательском институте (Тайвань), NL Nanosemiconductor GmbH (Германия). Член-корреспондент РАН c 29.05.2008 - Отделение нанотехнологий и информационных технологий (наноэлектроника)