Российская академия наук    
     
   

Общая информация
Общие сведения
Историческая справка
Направления деятельности
Прочая информация
Проекты
Публикации


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Карузский А.Л.

    Страницы:   1   2   3 


  1.   Головашкин А.И. ,     Журкин Б.Г. ,     Печень Е.В. ,     Карузский А.Л. ,     Красносвободцев С.И.
    Получение сверхпроводящих пленок карбида ниобия методом реактивного лазерного распыления. Кратк. сообщ. по физ. , N12 , с. C.48-51 , 01.1984

  2.   Фрадков А.Б. ,     Журкин Б.Г. ,     Карузский А.Л. ,     Красносвободцев С.И. ,     Дьячков П.И.
    Установка лазерного импульсного распыления тугоплавких материалов. Пр. ФИАН , N278 , с. 15 c. , 01.1985

  3.   Головашкин А.И. ,     Журкин Б.Г. ,     Печень Е.В. ,     Карузский А.Л. ,     Мартовицкий В.П. ,     Родин В.В. ,     Красносвободцев С.И. ,     Степанов Ю.И. ,     Ширков А.В.
    Исследование пленок карбида ниобия, полученных методом реактивного лазерного распыления. Физ. тверд. тела , Т.28,N11 , с. C.3342-3348 , 01.1986

  4.   Головашкин А.И. ,     Журкин Б.Г. ,     Карузский А.Л. ,     Крапивка А.Е.
    Измерение коэффициента отражения металлических пленок на шероховатых подложках в микроволновом диапазоне. Пр. ФИАН , N54 , с. 19 c. , 01.1988

  5.   Головашкин А.И. ,     Журкин Б.Г. ,     Карузский А.Л. ,     Коваленко К.В. ,     Крапивка А.Е.
    СВЧ свойства высокотемпературных сверхпроводников и использование их для резонансных устройств. Пр. ФИАН , N217 , с. 26 c. , 01.1988

  6.   Журкин Б.Г. ,     Мицен К.В. ,     Иваненко О.М. ,     Карузский А.Л. ,     Крапивка А.Е. ,     Аншукова Н.В.
    Поверхностное сопротивление высокотемпературных иттриевых сверхпроводников в СВЧ диапазоне. Кратк. сообщ. по физ. , N2 , с. C.32-34 , 01.1988

  7.   Мурзин В.Н. ,     Журкин Б.Г. ,     Лыков А.Н. ,     Карузский А.Л. ,     Голямина Е.М. ,     Дравин В.А.
    Диэлектрический резонанс в образцах YBa_2Cu_3O_7-x электромагнитном поле. ХХХ Совещ. по физике низких температур, 6-8 сент. 1994 г. Дубна. Тез. докл. , Ч.1 , с. С.89-90 , 01.1994

  8.   Мурзин В.Н. ,     Карузский А.Л. ,     Квит А.В. ,     Пересторонин А.В.
    Влияние туннелирования неравновесных носителей заряда на спектры фотолюминесценции в асимметричных структурах с квантовыми ямами. Кратк. сообщ. по физ. , Т9-10 , с. C.3-9 , 01.1994

  9.   Мурзин В.Н. ,     Митягин Ю.А. ,     Карузский А.Л. ,     Алещенко Ю.А. ,     Мельник Н.Н. ,     Квит А.В. ,     Пересторонин А.В.
    Влияние туннелирования неравновесных носителей заряда на спектры фотолюминесценции полупроводниковых структур из асимметричных квантовых ям. Микроэлектроника , Т.25,N1 , с. C.13-19 , 01.1996

  10.   Мурзин В.Н. ,     Журкин Б.Г. ,     Митягин Ю.А. ,     Карузский А.Л. ,     Мельник Н.Н. ,     Цикунов А.В. ,     Пересторонин А.В. ,     Богонин И.А. ,     Волчков Н.А. ,     Орликовский А.А. ,     Свербиль П.П. ,     Ткаченко С.Д.
    Исследование алмазоподобных покрытий, полученных методом лазерного импульсного распыления графита в высоком вакууме. Микроэлектроника , Т.25,N3 , с. C.203-210 , 01.1996



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007