III Всерос. конф. по физ. полупроводников. Полупроводники ''''97. Тез.
Общая информация
Включает:
А. А.
Гиппиус
,
Галкина Т.И.
,
Клоков А.Ю.
,
Шарков А.И.
,
Хмельницкий Р.А.
,
Дравин В.А.
Генерация неравновесных акустических фононов оптически возбуждаемым аморфизированным слоем: новый способ измерения нестационарного теплоотвода
Мурзин В.Н.
,
Митягин Ю.А.
,
Баташов Д.Г.
Динамические домены электрического поля и осцилляции тока при поперечном транспорте в сверхрешетках с дефектами легирования
Чуенков В.А.
Поглощение сильного электромагнитного излучения в многодолинных полупроводниках
Журкин Б.Г.
,
Карузский А.Л.
,
Цховребов А.М.
,
Черняев А.П.
Об исследовании аномального поведения магнитных осцилляций фотолюминесценции электронно-дырочной жидкости в Ge
Щурова Л.Ю.
Когерентные состояния электронов в квазидвумерных системах с устойчивой конфигурацией полей ионов
Сибельдин Н.Н.
,
Цветков В.А.
,
Скориков М.Л.
Локализация экситонов в сверхрешетках в параллельном магнитном поле
Виноградов В.С.
Приграничные состояния в плавных гетеропереходах полупроводников с кейновским спектром
Виноградов В.С.
,
Болтаев А.П.
,
Лойко Н.Н.
,
Казаков И.П.
,
Цехош В.И.
,
Рзаев М.М.
Измерение подвижносити носителей заряда в квантовых ямах
Copyright ©
БЕН РАН.
Наш адрес:
119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14
Телефон: 938-0309 (Справ. бюро)
Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)
Назад