Физ. и техн. полупровод. , 01.1985    Включает:   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Соловьев Н.Н. Температурная зависимость амплитудно-частотных характеристик фотопроводимости в полупроводнике с двухуровневой примесью (Ge:Hg) , 01.1985   Засавицкий И.И. ,     Лишка К.. ,     Хайнрих Х.. О ян-теллеровском центре в Pb_1-xSn_xTe , 01.1985 Copyright © БЕН РАН.

	Наш адрес: 119991 ГСП-1 Москва В-71, Ленинский просп., 14 Телефон: 938-0309 (Справ. бюро) Факс: (495)954-3320 (Лен.пр.,14), (495)938-1844 (Лен.пр.,32а)	Назад