Академику Орликовскому Александру Александровичу - 75 лет!

12.06.2013

Юбилей академика Орликовского Александра Александровича

 

Академик

Орликовский Александр Александрович

 

Академик Орликовский А.А. (jpg, 40 Kб)

 

Александр Александрович Орликовский родился 12 июня 1938 г. в г. Москве.

В 1961 году закончил Московский инженерно-физический институт. С 1961 по 1963 годы работал в Союзном научно-исследовательском институте приборостроения. После защиты кандидатской диссертации стал старшим преподавателем, доцентом Московского института электронной техники. С 1981 года работал старшим научным сотрудником сектора микроэлектроники, с 1985 года зав. лаборатории микроструктурирования и субмикронных приборов Института общей физики АН СССР. С 1988 года в Физико-технологическом институте РАН, с 2001 года заместителем директора.

Член-корреспондент с 2000 года, академик с 2006 года - Отделение нанотехнологий и информационных технологий.

А. А. Орликовский является одним из ведущих ученых в области физики и технологии элементной базы микро- и наноэлектроники.

Он внес значительный вклад в разработку физических и схемотехнических принципов создания полупроводниковой памяти. Ему принадлежит ряд пионерских работ в этой области: концепция, схемы выборки, схемы и структуры элементов памяти, обнаружение коллективных явлений в больших массивах биполярной памяти. Результаты работ внедрены в промышленных разработках сверхскоростных БИС оперативной памяти (НИИМЭ и завод «Микрон»), получивших применение в отечественной электронной аппаратуре специального назначения. С 1981 года главным направлением его исследований являются физические основы процессов субмикронной технологии кремниевых СБИС, создание новых технологий и технологического оборудования для передовых производств СБИС.

Под его непосредственным руководством выполнен цикл работ по созданию технологии контактных слоев для глубоко субмикронных интегральных схем на основе силицидов титана. Впервые установлено влияние содержания кислорода на температуру образования дисилицидной фазы. Цикл теоретических и экспериментальных работ по плазмохимическому травлению кремния и кремнийсодержащих материалов завершился созданием технологии глубокого анизотропного травления кремния с использованием впервые в мировой практике Br-содержащих газов. Выполнен цикл исследований по молекулярно-пучковой эпитаксии арсенида галлия на кремнии с целью создания технологии оптических связей на кремниевых чипах и между чипами. Физические и технологические принципы, заложенные в работах А. А. Орликовского, находят применение в современных отечественных производствах интегральных схем.

В последние годы он развивает научные исследования, связанные с разработкой технологии интегральных схем с минимальными размерами в суб-100 нм диапазоне. Это, во-первых, работы по созданию широкоапертурных источников плотной низкотемпературной плазмы с высокой равномерностью потоков плазмы на подложку. Во-вторых, работы по диагностике низкотемпературной плазмы и методам мониторинга плазменных технологических процессов — основы автоматизации плазмохимического оборудования. В этой области созданы методы мониторинга плазменных процессов травления и нанесения тонких пленок на основе оптической эмиссионной спектроскопии, зондов Ленгмюра и спектральной эллипсометрии. Под его руководством создан оптический томограф плазмы, предназначенный для аттестации источников плотной плазмы. Циклы этих работ завершились созданием в лаборатории А. А. Орликовского автоматизированных установок плазмохимического травления, в том числе, для приборов микромеханики, плазмостимулированного нанесения тонких пленок диэлектриков и плазмоиммерсионной ионной имплантации. Образцы этих установок изготовлены для ряда академических и отраслевых институтов. Согласованы планы по производству установок для промышленных применений.

А. А. Орликовский автор более 300 научных работ, в том числе 2 монографий.

Зам. главного редактора журнала «Микроэлектроника».

Член двух Научных советов РАН, член специализированных советов по защитам диссертаций.

Член Экспертного Совета по проблемам интеграции образования, науки и промышленности при Комитете Государственной Думы РФ по образованию.

Лауреат премии Правительства РФ.

Награжден орденом Дружбы.

 

©РАН 2019