http://www.ras.ru/news/shownews.aspx?id=48eb454e-a2c9-4e37-b6d0-081d9c4d258f&print=1© 2024 Российская академия наук
Игорь Всеволодович Грехов родился 10 сентября 1934 года, г. Смоленск. Окончил в 1958 году МВТУ им. Баумана. С 1958 г. по 1962 г. — инженер, начальник лаборатории завода "Электровыпрямитель" (г. Саранск). С 1962г. по 1988 г.— младший, старший научный сотрудник, заведующий сектором, заведующий лабораторией Физико-технического института АН СССР. Директор Отделения Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН (С.-Петербург).
Член-корреспондент c 1991 г., академик c 2008 г.- Отделение энергетики, машиностроения, механики и процессов управления (энергетика).
И.В. Грехов является известным ученым в области силовой полупроводниковой электроники и импульсной техники.
В 1960 – 1975 гг. он был одним из создателей в СССР новой отрасли промышленности - силового полупроводникового приборостроения. Проведенный им затем цикл исследований привел к открытию нескольких физических явлений, позволивших разработать новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами, увеличившие на порядки величины их импульсную мощность.
В 1975-1987 гг. им был выполнен цикл исследований, позволивший на порядки величины увеличить импульсную мощность полупроводниковых приборов и заложивших основу нового направления – силовой полупроводниковой импульсной электроники. В 1975 г. он выдвинул идею о возможности возбуждения ударно-ионизационного фронта в полупроводниковых структурах, приводящего к их быстрому –субнаносекундному – переключению. Эта идея была экспериментально подтверждена в 1979 г. на диодных, а затем динисторных структурах. Сейчас все мощные нано и субнаносекундные полупроводниковые генераторы с емкостными накопителями базируются на этих приборах. В 1983 г. И.В. Грехов с сотрудниками показали, что в определенных условиях процесс восстановления мощного полупроводникового диода при переключении из прямого смещения на обратное происходит исключительно быстро – за единицы наносекунд и менее – и может быть физической базой для разработки мощных размыкателей тока в системах с индуктивными накопителями. Такие размыкатели – дрейфовые диоды с резким восстановлением (ДДРВ) – сейчас являются основой наносекундных генераторов импульсов мощностью до сотен мегаватт. Переключение мегамперных токов за десятки микросекунд полупроводниковыми приборами стало возможным после того, как И.В. Грехов с сотрудниками разработали реверсивно-включаемый динистор (РВД) – прибор тиристорного типа, переключаемый однородно и одновременно по всей площади полупроводникового элемента любых размеров. На основе РВД разработаны самые мощные в мире полупроводниковые ключи (0.5 МА, 25 кВ) и много других устройств с уникальными характеристиками. Импульсные системы микро, нано и субнаносекундного диапазонов, базирующиеся на всех этих приборах, работают практически во всех развитых странах мира, а Россия сохраняет лидирующие позиции в силовой полупроводниковой импульсной электронике.
В 2001 г. И.В. Греховым с сотрудниками была показана принципиальная возможность возбуждения в полупроводниках сверхбыстрых туннельно-ударных ионизационных фронтов и создания мощных пикосекундных переключателей с уникальными характеристиками, а в 2002 г. был создан первый карбидкремниевый прибор импульсной электроники – субнаносекундный SiC-ДДРВ.
В настоящее время И.В.Грехов совместно с промышленностью ведет работу по созданию в России новой отрасли – силовой электроники на основе карбида кремния, создание которой должно привести к радикальным изменениям в силовой преобразовательной и импульсной энергетике. Ведется также работа по созданию нового кремниевого прибора силовой электроники – интегрального тиристора с полевым управлением для мощных высоковольтных преобразователей.
Другим направлением работ И.В. Грехова в настоящее время является так называемая «прозрачная электроника» - создание активных приборов микро и наноэлектроники, прозрачных в видимой области спектра, а также исследование эффекта энергонезависимой памяти с неразрушающим считыванием в среде, состоящей из наночастиц сегнетоэлектрика, окруженных полупроводниковой оболочкой.
Под руководством И.В. Грехова защищено 30 кандидатских диссертаций, среди его учеников 10 докторов наук.
Им опубликованы 4 монографии, более 550 научных работ, он автор свыше 150 изобретений и патентов.
Он член редколлегии журнала «Письма в Журнал технической физики РАН».
И.В. Грехов является членом ряда научных советов, в том числе научного совета по мощной импульсной энергетике РАН, совета по комплексной проблеме «Электрофизика, электроэнергетика и электротехника» РАН, Научно-Координационного совета Федеральной Целевой Программы 2008-2012 гг.
Член Американского общества электро- и радиоинженеров; член Европейского общества сильноточной электроники.
Лауреат Ленинской премии Государственной премии СССР, Государственной премии России и премии Правительства РФ.
«Заслуженный изобретатель РСФСР».
Награжден орденом «Дружбы народов» и орденом Почета.