Академику Скринскому Александру Николаевичу - 80 лет!

15.01.2016

Юбилей академика Скринского Александра Николаевича

 

АКАДЕМИК

Скринский Александр Николаевич

 

Ак. Скринский (jpg, 29 Kб)

Александр Николаевич Скринский родился 15 января 1936 года в г. Оренбурге.

Окончил Московский государственный университет в 1959 году.

Студеном 4-го курса Физического факультета МГУ в 1957 году был принят в лабораторию Г.И. Будкера. С 1962 года научная деятельность А.Н. Скринского связана с Институтом ядерной физики Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН), который он возглавлял с 1977 года . Научный руководитель Института ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН.

Член-корреспондент c 1968 года, академик c 1970 года - Отделение физических наук РАН.

А.Н.Скринский – выдающийся ученый в области физики высоких энергий, физики и технологии ускорителей заряженных частиц, источников синхротронного и ондуляторного излучения, выдвинувший и реализовавший ряд революционных идей по созданию новых типов ускорителей со встречными пучками элементарных частиц.

В 1964 году под руководством Г.И. Будкера и А.Н. Скринского в Институте ядерной физики СО АН был разработан метод встречных пучков и на его основе создан первый в мире коллайдер ВЭП-1 для экспериментов по физике элементарных частиц, проведён цикл исследований по квантовой электродинамике. В 1966 году был построен первый в мире электрон-позитронный коллайдер ВЭПП-2, на котором получены важные результаты по физике векторных мезонов и адронов.

Создание и становление метода встречных пучков на основе накопителей заряженных частиц является основой современной экспериментальной физики высоких энергий, исследующей свойства и закономерности мира элементарных частиц.

А.Н.Скринским был разработан и реализован метод высокоточного измерения масс элементарных частиц.

При его участии был предложен концептуальный проект линейного коллайдера. В настоящее время на основе этой идеи реализовуется проект международного линейного коллайдера.

Большой вклад он внес в развитие прикладных и оборонных работ на основе фундаментальных разработок Института ядерной физики: это применение синхротронного излучения в различных областях науки и техники, изобретение и создание новых видов лазеров на свободных электронах, развитие электронно-лучевых технологий, медицинской техники и систем безопасности.

А.Н.Скринский создал одну из ведущих мировых научных школ в области физики высоких энергий. Среди его учеников – десятки докторов и кандидатов наук, члены РАН.

Член Бюро Совета РАН по работе с иностранными членами РАН и учеными-соотечественниками, проживающими за рубежом.

Действительный член Американского физического общества, член Шведской королевской академии.

Лауреат Ленинской премии, Государственной премии СССР, Государственной премии РФ (дважды), Демидовской премии.

Награжден орденами «Трудового Красного Знамени», «Октябрьской Революции», «За заслуги перед Отечеством» IV, III и II степени.

Награжден золотой медалью РАН имени В. И. Векслера, золотой медалью РАН имени П. Л. Капицы, удостоен премии имени Р. Р. Вилсона Американского физического общества и премии имени А. П. Карпинского.

©РАН 2019