Академику Сигову Александру Сергеевичу - 70 лет!

31.05.2015

Юбилей академика Сигова Александра Сергеевича

 

АКАДЕМИК

СИГОВ АЛЕКСАНДР СЕРГЕЕВИЧ

Академик Сигов (jpg, 114 Kб)

Александр Сергеевич Сигов родился 31 мая 1945 года в г. Донецке.

В 1968 году окончил Физический факультет Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова по кафедре квантовой теории. В 1971 году окончил аспирантуру Физфака МГУ и был распределен в МИРЭА, где и работает по настоящее время.
С 1998 по 2013 г.— ректор МИРЭА. С 2013 года — Президент МГТУ МИРЭА.

Член-корреспондент с 2006 года, академик РАН с 2011 года - Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН.

Специалист в области элементной базы информационных систем, твердотельной электроники и материаловедения.

Основные научные результаты:

создано новое направление – активные диэлектрики для электронно-компонентной базы, в рамках которого разработаны и проектируются радиационностойкие высокоскоростные запоминающие устройства (ЗУ), микроэлектромеханические, системы, впервые в России изготовлены сегнетоэлектрические ЗУ и наногетероструктуры для устройства фотониники;

исследован и внедрен в промышленность новый класс диэлектрических материалов для формирования диэлектрических слоев многоуровневой разводки интегральных схем;

выполнены фундаментальные исследования свойств гетероструктур на основе пленок ферроиков, роли дефектов разных типов и процессов самоорганизации в упорядоченных структурах для перспективных устройств наноэлектроники, включая системы с фазовыми превращениями, гигантским магнетосопротивлением, бистабильностью (результаты использованы при создании магнитных накопителей, датчиков магнитного поля, интегральных ЗУ).

Он подготовил 10 докторов и 17 кандидатов наук.

Автор и соавтор более 300 научных трудов, 7 монографий, 14 учебников и 33 изобретения.

Главный редактор журнала «Наноматериалы и наноструктуры», член редакционных коллегий и советов международных и российских журналов - «Известия РАН (серия физическая)», «Микросистемная техника», «Integrated Ferroelectrics» и др.

Член Научного совета при Совете Безопасности РФ, член бюро – Председатель секции по физике сегнетоэлектриков и диэлектриков Объединенного Совета РАН по физике конденсированных сред и ряда советов Минобрнауки России, Европейского физического общества и Института электроинженеров (Англия), заместитель председателя Межгосударственного совета по микронаномехатронике.

Лауреат Государственной премии РФ.

Лауреат премии Правительства РФ (трижды).

Заслуженный деятель науки РФ.

Награжден орденом «За заслуги перед Отечеством» IV степени.

Подразделы

Объявления

©РАН 2020