Нанокремний из плазмы

27.02.2009

Специалисты из нижегородского Института прикладной химии РАН разработали новый метод

Специалисты из нижегородского Института прикладной химии РАН разработали новый метод получения тонких пленок нанокристаллического кремния. Этот материал считается весьма перспективным, например, для производства солнечных батарей нового поколения — более дешёвых в производстве и с более высоким коэффициентом полезного действия.

Специалисты из нижегородского Института прикладной химии РАН разработали новый метод получения тонких пленок нанокристаллического кремния.

Новая технология позволяет менять изотопный состав напыляемого кремния, увеличивая долю тяжелых изотопов. Такой материал обладает лучшими электрическими свойствами. Впервые массивные образцы изотопно-обогащенного кремния несколько лет назад были получены в Нижнем Новгороде при участии специалистов Института химии высокочистых веществ РАН в рамках российско-европейской совместной научной программы. Теперь учёные могут изготавливать тонкие пленки из этого материала.

Нанокристаллический кремний — материал, в котором кристаллы кремния размером в несколько десятков нанометров распределены по матрице из аморфного кремния. На наноуровне действуют квантовые законы, так что электрофизические свойства вещества резко меняются. Учёные рассчитывают этим воспользоваться, чтобы создать более материалы для солнечных батарей.

Ранее компания Sharp объявляла, что к 2010 году построит завод по изготовлению трехслойных (нанокристаллический слой между двумя аморфными) тонкопленочных солнечных батарей общей мощностью 1 ГВт в год. Работа нижегородских ученых, выполненная в рамках ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007—2012 годы», закладывает основу создания аналогичной технологии и в России.

Дополнительная информация: Сергей Владимирович Голубев, доктор физико-математических наук, заместитель директора по научной работе, Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород, (831) 436-40-68; (831) 416-47-26, gol@appl.sci-nnov.ru

Источник: Информнаука

©РАН 2020