№ 11600-633 от 09.07.2010

РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК

ПРЕЗИДИУМ

РАСПОРЯЖЕНИЕ

 

О проведении годичного собрания Секции по проблемам функциональных материалов электронной техники
Научного совета по новым материалам при Международной ассоциации академий наук


 


 

1. Провести 28 - 30 сентября 2010 г. в г. Москве годичное собрание Секции по проблемам функциональных материалов электронной техники (далее - Годичное собрание) Научного совета по новым материалам при Международной ассоциации академий наук (МААН) с общим числом приглашенных 60 человек, из них 25 человек из стран СНГ.

2. Поручить сопредседателю Секции по проблемам функциональных материалов электронной техники Научного совета по новым материалам при МААН академику Кузнецову Ф.А. организацию и проведение Годичного собрания.

3. Разрешить Научному совету по физико-химическим основам полупроводникового материаловедения Отделения нанотехнологий и информационных технологий (ОНИТ) РАН пригласить для участия в Годичном собрании до 25 ученых стран СНГ.

4. Финансово-экономическому управлению РАН обеспечить финансирование Учреждения Российской академии наук Института радиотехники и электроники им. Б.А. Котельникова РАН для организации и проведения Годичного собрания в соответствии со сметой, утвержденной в установленном порядке.

5. Управлению делами РАН оказать содействие в размещении за счет средств Учреждения Российской академии наук Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН иностранных участников Годичного собрания в гостинице «Академическая» по адресу: г. Москва, ул. Донская, д. 1 с оплатой номеров по льготному тарифу в соответствии со сметой.

6. Научному совету по физико-химическим основам полупроводникового материаловедения ОНИТ РАН в месячный срок после окончания Годичного собрания представить в установленном порядке отчет о его про ведении руководству Президиума РАН.

7. Контроль за выполнением настоящего распоряжения возложить на Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН.

 

 

И.о. президента
Российской академии наук
академик В.В. Козлов

 

©РАН 2024