Пенин Н.А. ,     Багаев В.С. ,     Галкина Т.И. ,     Гоголин О.В. ,     Алексеев А.С. ,     Семенов А.Н. ,     Стопачинский В.Б. Излучение свободных и взаимодействующих экситонов в сильных магнитных полях. Физические исследования в сильных магнитных полях , с. C.109-115   Багаев В.С. ,     Галкина Т.И. ,     Гоголин О.В. Коллективные свойства экситонов в Ge. Экситоны в полупроводниках / Под ред. Б.М.Вула , с. С.19-31   Багаев В.С. ,     Копыловский Б.Д. ,     Гоголин О.В. ,     Артемьев Н.Л. ,     Ефимов Ю.А. Инфракрасный телевизионный микроскоп для исследования рекомбинационного излучения и оптических свойств полупроводников / Отв. ред. Д.В.Скобельцын. Электроника в физическом эксперименте , с. С.97-100   Багаев В.С. ,     Копыловский Б.Д. ,     Берозашвили Ю.Н. ,     Гоголин О.В. Использование высокоомных кристаллов GaAs для модуляции света. Физ. и техн. полупровод. , Т.1,N8 , с. C.1202-1206 , 01.1967   Келдыш Л.В. ,     Багаев В.С. ,     Галкина Т.И. ,     Гоголин О.В. Движение электронно-дырочных капель в германии. Письма в ЖЭТФ , Т.10,N7 , с. C.309-313 , 01.1969   Багаев В.С. ,     Галкина Т.И. ,     Гоголин О.В. Излучение свободных экситонов и электронно-дырочных капель в германии при одноосном сжатии. Кратк. сообщ. по физ. , N2 , с. C.42-50 , 01.1970   Пенин Н.А. ,     Багаев В.С. ,     Галкина Т.И. ,     Гоголин О.В. ,     Алексеев А.С. Рекомбинационное излучение электронно-дырочных капель в легированном германии. Физ. тверд. тела , Т.12,N12 , с. C.3517-3520 , 01.1970   Пенин Н.А. ,     Багаев В.С. ,     Галкина Т.И. ,     Гоголин О.В. ,     Алексеев А.С. ,     Семенов А.Н. ,     Стопачинский В.Б. Излучение взаимодействующих экситонов в Ge в сильных магнитных полях. Письма в ЖЭТФ , Т.12,N5 , с. C.203-205 , 01.1970