Страницы:   1   2    Сибельдин Н.Н. ,     Болтаев А.П. ,     Лойко Н.Н. ,     Рзаев М.М. Энергетические уровни в одиночной квантовой яме в сильном электрическом поле. Нанофотоника. Материалы совещания, 20-23 марта 2000, г.Нижний Новгород , с. С.52-55   Виноградов В.С. ,     Сибельдин Н.Н. ,     Болтаев А.П. ,     Пудонин С.А. ,     Лойко Н.Н. ,     Рзаев М.М. Влияние электрического поля на положение уровней энергии в потенциальной яме. 4-ая Рос. конф. по физ. полупроводников. Новосибирск. Академгородок. , с. С.192   Сибельдин Н.Н. ,     Болтаев А.П. ,     Лойко Н.Н. ,     Рзаев М.М. Отрицательная емкость в Si/Ge структурах с квантовыми ямами. Нанофотоника. Мат-лы совещ., Нижний Новгород, 15-18 марта 1999 г. , с. С.262-264   Сибельдин Н.Н. ,     Болтаев А.П. ,     Рзаев М.М. Гетероструктуры Si/SiGe с высокой подвижностью носителей заряда в квантовых ямах. Всероссийскаое совещание "Наноструктуры на основе кремния и германия". Н.Новгород, 1998 , с. С.38-42   Пенин Н.А. ,     Сибельдин Н.Н. ,     Курбатов В.А. ,     Болтаев А.П. ,     Бурбаев Т.М. ,     Рзаев М.М. Эффекты накопления заряда и отрицательная емкость в гетероструктурах на основе кремния. Всероссийскаое совещание "Наноструктуры на основе кремния и германия". Н.Новгород, 1998 , с. С.180-183   Виноградов В.С. ,     Болтаев А.П. ,     Лойко Н.Н. ,     Казаков И.П. ,     Цехош В.И. ,     Рзаев М.М. Измерение подвижносити носителей заряда в квантовых ямах. III Всерос. конф. по физ. полупроводников. Полупроводники '97. Тез. , с. С.AI-3   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Болтаев А.П. ,     Соловьев Н.Н. Измерение слабой модуляции излучения с помощью фотосопротивления. Физ. и техн. полупровод. , Т.6,N7 , с. C.1391-1394 , 01.1972   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Болтаев А.П. ,     Соловьев Н.Н. Высокочастотная модуляция 10-микронного излучения с помощью эффекта нагревания носителей электрическим полем в германии р-типа. Физ. и техн. полупровод. , Т.7,N10 , с. C.1896-1900 , 01.1973   Пенин Н.А. ,     Болтаев А.П. Разогревание носителей заряда в германии р-типа слабым электрическим полем. Физ. и техн. полупровод. , Т.10,N5 , с. C.911-917 , 01.1976   Пенин Н.А. ,     Болтаев А.П. Влияние междырочных столкновений на разогревание носителей заряда в германии р-типа слабым электрическим полем. Физ. и техн. полупровод. , Т.11,N11 , с. C.2246-2248 , 01.1977