|
Поиск атрибутный
| |
|
|
|
Рзаев М.М.
|
- Сибельдин Н.Н. , Болтаев А.П. , Лойко Н.Н. , Рзаев М.М.
Энергетические уровни в одиночной квантовой яме в сильном электрическом поле.
Нанофотоника. Материалы совещания, 20-23 марта 2000, г.Нижний Новгород , с. С.52-55
- Виноградов В.С. , Сибельдин Н.Н. , Болтаев А.П. , Пудонин С.А. , Лойко Н.Н. , Рзаев М.М.
Влияние электрического поля на положение уровней энергии в потенциальной яме.
4-ая Рос. конф. по физ. полупроводников. Новосибирск. Академгородок. , с. С.192
- Сибельдин Н.Н. , Болтаев А.П. , Лойко Н.Н. , Рзаев М.М.
Отрицательная емкость в Si/Ge структурах с квантовыми ямами.
Нанофотоника. Мат-лы совещ., Нижний Новгород, 15-18 марта 1999 г. , с. С.262-264
- Сибельдин Н.Н. , Болтаев А.П. , Рзаев М.М.
Гетероструктуры Si/SiGe с высокой подвижностью носителей заряда в квантовых ямах.
Всероссийскаое совещание "Наноструктуры на основе кремния и германия". Н.Новгород, 1998 , с. С.38-42
- Пенин Н.А. , Сибельдин Н.Н. , Курбатов В.А. , Болтаев А.П. , Бурбаев Т.М. , Рзаев М.М.
Эффекты накопления заряда и отрицательная емкость в гетероструктурах на основе кремния.
Всероссийскаое совещание "Наноструктуры на основе кремния и германия". Н.Новгород, 1998 , с. С.180-183
- Виноградов В.С. , Болтаев А.П. , Лойко Н.Н. , Казаков И.П. , Цехош В.И. , Рзаев М.М.
Измерение подвижносити носителей заряда в квантовых ямах.
III Всерос. конф. по физ. полупроводников. Полупроводники '97. Тез. , с. С.AI-3
- . , Сибельдин Н.Н. , Болтаев А.П. , Корняков Н.В. , Лойко Н.Н. , Турьянский А.Г. , Рзаев М.М.
Эффекты накопления носителей заряда и отрицательная дифференциальная проводимость в системе квантовых ям.
Всерос. научно-техн. конф. "Микро- и наноэлектроника-98", Звенигород, 26-30 апреля 1999 , Т.1 , с. С.2-6 , 01.1999
- Пенин Н.А. , Сибельдин Н.Н. , Курбатов В.А. , Болтаев А.П. , Бурбаев Т.М. , Рзаев М.М.
Эффекты накопления заряда и отрицательная емкость в гетероструктурах на основе кремния.
Изв. АН СССР. Сер.физ. , Т.63,N2 , с. C.312-316 , 01.1999
- Виноградов В.С. , Сибельдин Н.Н. , Болтаев А.П. , Казаков И.П. , Цехош В.И. , Рзаев М.М.
Измерение латеральной подвижности носителей заряда в структурах с квантовыми ямами.
Микроэлектроника , Т.27,N6 , с. C.423-430 , 01.1998
- Сибельдин Н.Н. , Болтаев А.П. , Рзаев М.М.
Гетероструктуры Si/SiGe с высокой подвижностью носителей заряда в квантовых ямах.
Известия Академии наук. Сер.физическая , Т.63,N2 , с. C.262-266 , 01.1999
|
|