Российская академия наук    
     
   

Общая информация
Общие сведения
Историческая справка
Направления деятельности
Прочая информация
Проекты
Публикации


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Рзаев М.М.

    Страницы:   1   2 


  1.   Сибельдин Н.Н. ,     Болтаев А.П. ,     Лойко Н.Н. ,     Рзаев М.М.
    Энергетические уровни в одиночной квантовой яме в сильном электрическом поле. Нанофотоника. Материалы совещания, 20-23 марта 2000, г.Нижний Новгород , с. С.52-55

  2.   Виноградов В.С. ,     Сибельдин Н.Н. ,     Болтаев А.П. ,     Пудонин С.А. ,     Лойко Н.Н. ,     Рзаев М.М.
    Влияние электрического поля на положение уровней энергии в потенциальной яме. 4-ая Рос. конф. по физ. полупроводников. Новосибирск. Академгородок. , с. С.192

  3.   Сибельдин Н.Н. ,     Болтаев А.П. ,     Лойко Н.Н. ,     Рзаев М.М.
    Отрицательная емкость в Si/Ge структурах с квантовыми ямами. Нанофотоника. Мат-лы совещ., Нижний Новгород, 15-18 марта 1999 г. , с. С.262-264

  4.   Сибельдин Н.Н. ,     Болтаев А.П. ,     Рзаев М.М.
    Гетероструктуры Si/SiGe с высокой подвижностью носителей заряда в квантовых ямах. Всероссийскаое совещание "Наноструктуры на основе кремния и германия". Н.Новгород, 1998 , с. С.38-42

  5.   Пенин Н.А. ,     Сибельдин Н.Н. ,     Курбатов В.А. ,     Болтаев А.П. ,     Бурбаев Т.М. ,     Рзаев М.М.
    Эффекты накопления заряда и отрицательная емкость в гетероструктурах на основе кремния. Всероссийскаое совещание "Наноструктуры на основе кремния и германия". Н.Новгород, 1998 , с. С.180-183

  6.   Виноградов В.С. ,     Болтаев А.П. ,     Лойко Н.Н. ,     Казаков И.П. ,     Цехош В.И. ,     Рзаев М.М.
    Измерение подвижносити носителей заряда в квантовых ямах. III Всерос. конф. по физ. полупроводников. Полупроводники '97. Тез. , с. С.AI-3

  7.   . ,     Сибельдин Н.Н. ,     Болтаев А.П. ,     Корняков Н.В. ,     Лойко Н.Н. ,     Турьянский А.Г. ,     Рзаев М.М.
    Эффекты накопления носителей заряда и отрицательная дифференциальная проводимость в системе квантовых ям. Всерос. научно-техн. конф. "Микро- и наноэлектроника-98", Звенигород, 26-30 апреля 1999 , Т.1 , с. С.2-6 , 01.1999

  8.   Пенин Н.А. ,     Сибельдин Н.Н. ,     Курбатов В.А. ,     Болтаев А.П. ,     Бурбаев Т.М. ,     Рзаев М.М.
    Эффекты накопления заряда и отрицательная емкость в гетероструктурах на основе кремния. Изв. АН СССР. Сер.физ. , Т.63,N2 , с. C.312-316 , 01.1999

  9.   Виноградов В.С. ,     Сибельдин Н.Н. ,     Болтаев А.П. ,     Казаков И.П. ,     Цехош В.И. ,     Рзаев М.М.
    Измерение латеральной подвижности носителей заряда в структурах с квантовыми ямами. Микроэлектроника , Т.27,N6 , с. C.423-430 , 01.1998

  10.   Сибельдин Н.Н. ,     Болтаев А.П. ,     Рзаев М.М.
    Гетероструктуры Si/SiGe с высокой подвижностью носителей заряда в квантовых ямах. Известия Академии наук. Сер.физическая , Т.63,N2 , с. C.262-266 , 01.1999



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007