В.М. Устинов - специалист в области физики и технологии полупроводниковых гетероструктур. Сфера научной деятельности В.М. Устинова: разработка технологии синтеза методом молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками, исследование физических свойств полупроводниковых гетероструктур с квантово-размерными эффектами, разработка технологии синтеза и исследование свойств полупроводниковых гетероструктур для приборов СВЧ электроники. С 1999 г. В.М. Устинов является ведущим научным сотрудником Лаборатории физики полупроводниковых гетероструктур ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, а с 2004 г. по 2008 г. – заместителем председателя по науке Санкт-Петербургского физико-технологического научно-образовательного центра РАН. В.М. Устинов является членом Ученых советов ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Центра физики наногетероструктур ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербургского физико-технологического научно-образовательного центра РАН, докторского диссертационного совета при Институте аналитического приборостроения РАН; редакционной коллегии журнала "Журнал технической физики". В.М. Устинов является профессором Кафедры физики и технологии наноструктур Академического физико-технологического университета РАН. Под его руководством защищено 4 кандидатских диссертации. В.М. Устинов - автор и соавтор более 500 научных работ, из них 1 монографии и 2 патентов РФ. В.М. Устинов - лауреат Государственной премии РФ. Ключевые слова Физика и технологии полупроводниковых наногетероструктур.