А.А. Горбацевич - специалист в области физики конденсированного состояния, элементной базы микро- и наноэлектроники и нанотехнологий в электроники. А.А. Горбацевичем построена единая теория резонансов, антирезонансов и связанных состояний в континууме в квантовых проводниках и волноводах. Предложен новый физический принцип работы молекулярного интерференционного транзистора со сверхмалым энергопотреблением при комнатной температуре, связанный со спонтанным нарушением РТ-симметрии в окрестности особой точки открытой квантовой системы, образованной молекулой и электродами. Исследованы новые принципы обработки и преобразования информации, основанные на управляемой перестройке когерентных состояний квантовых гетероструктур, содержащих туннельно-связанные квантовые ямы, и предложены новые типы функционально-интегрированных логических квантовых элементов. Выполнены первые систематические исследования спонтанных токовых состояний в кристаллах, которые впоследствии приобрели особую актуальность в связи с открытием топологических изоляторов, исследовано новое упорядоченное состояние кристаллов со спонтанными токами - тороидное состояние, независимо от теорий композитных фермионов и сверхтекучего He3A введено представление о самосогласованном псевдомагнитном поле в тороидном магнетике и на этой основе предложена и обоснована первая модель аномально сильного диамагнетизма (сверхдиамагнетизма) несверхпроводящей природы. В области теории сверхпроводимости А.А. Горбацевичем построена зонная теория фазового расслоения, с единых позиций объяснившая многочисленные разрозненные экспериментальные факты, предложена оригинальная модель кулоновского механизма сверхпроводимости в окрестности точки диэлектрической неустойчивости, описаны микроскопические механизмы реализации сверхпроводящих состояний с нетривиальной симметрией параметра порядка. Ключевые слова Наноэлектроника.