Страницы:   1   2   3   4    Багаев В.С. ,     Головашкин А.И. ,     Печень Е.В. ,     Плотников А.Ф. ,     Поярков А.Г. ,     Красносвободцев С.И. ,     Абель Е.В. ,     Басов Д.Н. Исследование энергетической щели в тонких пленках ВТСП. Письма в ЖЭТФ , Т.49,N1 , с. C.23-27 , 01.1989   Головашкин А.И. ,     Шабанова Н.П. ,     Красносвободцев С.И. ,     Антоненко С.В. ,     Ноздрин В.С. ,     Жабрев Г.И. Чувствительность верхнего критического поля к дефектам структуры и электронные характеристики сверхпроводящих соединений NbC, Nb_3Sn,RBa_2Cu_3O_7(R=Y,Ho). Пр. ФИАН , N7 , с. 32 c. , 01.1996   Головашкин А.И. ,     Печень Е.В. ,     Красносвободцев С.И. ,     Васильев А.Л. ,     Киселев Н.А. Исследование границ раздела и дефектов в поликристаллических пленках Y-Ba-Cu-O. Сверхпроводимость: физ., химия, техн. , Т.3,N3 , с. C.472-477 , 01.1990   Головашкин А.И. ,     Шабанова Н.П. ,     Красносвободцев С.И. ,     Ноздрин В.С. Верхнее критическое магнитное поле и электронные характеристики сверхпроводящих соединений NbC,Nb_3Sn,RBa_2Cu_3O_7(R=Y,Ho). Физ. тверд. тела , Т.38,N7 , с. C.1969-1985 , 01.1996   Головашкин А.И. ,     Печень Е.В. ,     Шабанова Н.П. ,     Красносвободцев С.И. ,     Ноздрин В.С. Определение плотности электронных состояний RBaCuO и NdCeCuO из данных для критического поля H_c2. Кратк. сообщ. по физ. , N1-2 , с. C.20-27 , 01.1997   Пенин Н.А. ,     Курбатов В.А. ,     Бурбаев Т.М. ,     Красносвободцев С.И. ,     Ноздрин В.С. ,     Малакшинов Н.П. Использование эффекта экранирования магнитного поля пленками ВТСП для коммутации СВЧ-сигналов. Письма в ЖТФ , Т.24,N13 , с. C.76-81 , 01.1998   Мицен К.В. ,     Иваненко О.М. ,     Красносвободцев С.И. ,     Братухин П.В. ,     Ноздрин В.С. Эпитаксиальные пленки Nd_1.85Ce_0.15CuO_4: особенности синтеза и сверхпроводящие свойства. Письма в ЖТФ , Т.22,N24 , с. C.1-6 , 01.1996