Российская академия наук    
     
   

Общая информация


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Физ. и техн. полупровод.,Т.1,N2

 

 Включает:

  1.   Пенин Н.А. ,     Галкина Т.И. ,     Рассушин В.А. Спонтанное рекомбинационное излучение диодов из арсенида индия , 01.1967




Copyright © БЕН РАН.



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007