Российская академия наук    
     
   

Общая информация


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Квант. электрон.,Т.9,N11

 

 Включает:

  1.   Шотов А.П. ,     Даварашвили О.И. ,     Чиковани Р.И. ,     Елисеев П.Г. ,     Бычкова Л.П. ,     Сагинури М.И. Анализ факторов влияющих на пороговый ток генерации в инжекционном гетеролазере на основе Pb_1-xSn_xSe , 01.1982

  2.   Соболев Н.Н. ,     Очкин В.Н. ,     Автономов В.П. ,     Удалов Ю.Б. ,     Бельтюгов В.Н. ,     Троицкий Ю.В. ,     Спиридонов М.В. ,     Кузнецов А.А. СО_2- лазер на секвенциальных переходах с комбинированным резонатором , 01.1982

  3.   Кудрявцев Е.М. ,     Демин А.И. ,     Волков А.Ю. ,     Веденеев А.А. ,     Брюне М.. ,     Милевски Е.. ,     Станьцо Е.. Влияние противодавления на работу 18,4 мкм СО_2-ГДЛ , 01.1982




Copyright © БЕН РАН.



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007