|
 |
|
|||||||||
|
|
Зависимость концентрации углерода на поверхности эпитаксиальных пленок GaAs от величины разориентации подложки относительно кристаллографической плоскости
| |||||||||||||||
| |||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
Зависимость концентрации углерода на поверхности эпитаксиальных пленок GaAs от величины разориентации подложки относительно кристаллографической плоскости
| |||||||||||||||
| |||||||||||||||||
|
|