Общая информация
Поиск атрибутный
Организаций
Персон
Структура учреждений РАН
Особенности кинетики образования экситонных комплексов в квантовых ямах нелегированных GaAs/AlGaAs структур при надбарьерным фотовозбуждении
Сибельдин Н.Н.
,
Цветков В.А.
,
Скориков М.Л.
"Нанофотоника". Материалы совещания. Нижний Новгород, 2001
, с. С.115-118
Copyright ©
БЕН РАН.
Последние изменения: 26.01.2004
Поиск ресурсов
119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
©
РАН
2007