Российская академия наук    
     
   

Общая информация
Общие сведения
Историческая справка
Направления деятельности
Прочая информация
Проекты
Публикации


 
Login Print view Help 

Поиск атрибутный
  Организаций
  Персон

Структура учреждений РАН




Засавицкий И.И.

    Страницы:   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13 


  1.   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Косичкин Ю.В. ,     Нахутин А.И. ,     Фридман Ш.Д.
    Использование анализатора атмосферного СО_2 на основе диодных лазеров для определения потоков от крупных антропогенных источников. Проблемы фонового мониторинга состояния природной среды , Вып.6 , с. С.131-140 , 01.1988

  2.   Засавицкий И.И. ,     Сазонов А.В.
    Спиновое расщепление в полумагнитных полупроводниках типа A~4B~6. Физ. тверд. тела , Т.30,N6 , с. C.1669-1674 , 01.1988

  3.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Сазонов А.В. ,     Ковальчик Л..
    Фотолюминесценция полумагнитных полупроводников типа A~4B~6. Физ. и техн. полупровод. , Т.22,N12 , с. C.2118-2123 , 01.1988

  4.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Трофимов В.Т.
    Параметры глубокого центра в ненапряженных и напряженных эпитаксиальных слоях Pb_1-xSn_xTe:In(0<=x<=0,25). Пр.ФИАН , N259 , с. 31 c. , 01.1988

  5.   Засавицкий И.И. ,     Прохоров А.Н. ,     Надеждинский А.И. ,     Девятых Г.Г. ,     Максимов Г.А. ,     Хоршев В.А. ,     Щапин С.М. ,     Андреев Б.А. ,     Лазукина О.П.
    Определение содержания воды в высокочистом кислороде методами абсорбционной ИК-спектроскопии. Высокочистые вещества , N4 , с. C.161-166 , 01.1989

  6.   Засавицкий И.И. ,     Флусов Г.В. ,     Банарь В.Ф. ,     Гицу Д.В.
    Инжекционные лазеры на основе нитевидных кристаллов PbTe. Квант. электрон. , Т.16,N4 , с. C.675-678 , 01.1989

  7.   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Трофимов В.Т.
    Зависимость от состава параметров глубокого центра в эпитаксиальных слоях Pb_1-xSn_xTe:In. Физ. и техн. полупровод. , Т.23,N11 , с. C.2019-2026 , 01.1989

  8.   Засавицкий И.И. ,     Рыльков В.В. ,     Гончаренко Н.Н. ,     Козлов А.М. ,     Митрохин А.В.
    Фотоэлектрическая ячейка с терморегулятором. Электрон. промышленность , N10 , с. C.58 , 01.1989

  9. А. А. Гиппиус ,     Засавицкий И.И.
    Состояние и перспективы развития физики и техники полупроводников. Пр.ФИАН , N24 , с. 36 c. , 01.1989

  10.   Соболев Н.Н. ,     Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Очкин В.Н. ,     Савинов С.Ю. ,     Спиридонов М.В. ,     Керимкулов М.А. ,     Исламов Р.Ш. ,     Конев Ю.Б.
    Исследование колебательно-вращательных распределений молекул СО_2 в капиллярном разряде методами диодной лазерной спектроскопии. I-97952 XX Всесоюз. съезд по спектроскопии, Киев, 1988: Тез.докл. , Ч.I , с. C.184 , 01.1988



Последние изменения: 26.01.2004


119991 Москва, Ленинский просп., 14
Телефон: (495) 938-0309 (Справ. бюро); Факс: (495) 954-3320 (Лен.пр.14), (495) 938-1844 (Лен.пр,32а)
На главную страницу
В начало страницы
© РАН 2007