Страницы:   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13    Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. ,     Даварашвили О.И. Излучательная рекомбинация в эпитаксиальных слоях Pb_1-xSn_xSe(O<=x"приблизительно"< O.4). Физ. и техн. полупровод. , Т.13,N9 , с. C.1752-1755 , 01.1979   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. Определение зонных параметров твердых растворов Pb_1-xSn_xSe из спектров фотолюминесценции в магнитном поле. Физ. и техн. полупровод. , Т.13,N11 , с. C.2129-2134 , 01.1979   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. Криостат для магнитооптических исследований. Приборы и техн. эксперим. , N2 , с. C.219-220 , 01.1970   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. Магнитоперестраиваемое вынужденное комбинационное рассеяние в антимониде индия. Кратк. сообщ. по физ. , N8 , с. C.81-87 , 01.1971   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Даварашвили О.И. ,     Елисеев П.Г. ,     Долгинов Л.М. Многокомпонентные твердые растворы соединений А~IV В~VI. Квант. электрон. , Т.4,N4 , с. C.904-907 , 01.1977   Засавицкий И.И. Изучение полупроводниковых лазеров в сильных магнитных полях и при высоких гидростатических давлениях. Оптические свойства полупроводников. , Т.75 , с. С.3-73 , 01.1974   Засавицкий И.И. Инжекционные лазеры на основе узкозонных полупроводников и их применение (обзор). Зарубеж. радиоэлектрон. , N10 , с. C.74-119 , 01.1974   Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. Разборный магнитооптический криостат со сверхпроводящего соленоидом на 83 кЭ. Приборы и техн. эксперим. , N3 , с. C.242-244 , 01.1978   Засавицкий И.И. Аппаратура для оптических измерений в условиях гидростатического давления до 2 кбар при температурах <= 25 К. Приборы и техн. эксперим. , N5 , с. C.191-194 , 01.1978   Шотов А.П. ,     Засавицкий И.И. ,     Мацонашвили Б.Н. ,     Гуреев Д.М. ,     Гирич Б.Г. ,     Николаев М.И. ,     Пелевин О.В. ,     Бочкарев Э.П. Лазерные гетероструктуры на основе Pb_1-xSn_xTe для области спектра 6-20 мкм. I-71035 II Всесоюз. конф. по физ. процессам в полупроводниковых гетероструктурах. 8-20 окт. 1978. Тез. докл. , Ч.1 , с. C.124 , 01.1978