Родился 21.11.1955, г. Молодечно В 1979 г. окончил Физико-технический факультет Московского института электронной техники (МИЭТ), затем занимался научно-преподавательской деятельностью в МИЭТ. В 1982 г. защитил кандидатскую диссертацию, в 1991 г. защитил докторскую диссертацию «Токовые состояния и сверхпроводимость». С 1994 г. по 2008 - Исполнительный директор Научно-образовательного центра ФИАН и МИЭТ "Квантовые приборы и нанотехнологии". С 1999 г. по н.в. заведующий кафедрой "Квантовая физика и наноэлектроника" МИЭТ, в 2008 - 2009 г.г. - заместитель Председателя Санкт-Петербургского физико-технологического научно-образовательного центра РАН, в 2010 – 2011 г.г. - Первый проректор (по науке и образованию) Санкт-Петербургского Академического университета - научно-образовательного центра нанотехнологий РАН, с 2011 г. – гл. н.с. ФИАН им. П.Н.Лебедева, рук. лаборатории "Квантовый дизайн молекулярных и твердотельных наноструктур" ФИАН. А.А. Горбацевич автор более 100 научных работ, из них 3 коллективных монографии. А.А. Горбацевич - заместитель председателя Научного совета РАН "Квантовые технологии", член Научного совета по физике полупроводников РАН, Научного совета РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно- вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания», член редколлегий журналов «Микроэлектроника», «Российские нанотехнологии», «Известия вузов. Электроника», «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника». А.А. Горбацевич - лауреат Премии Правительства РФ в области образования, награжден нагрудным знаком «Почетный работник высшего профессионального образования РФ». Член-корреспондент РАН c 29.05.2008 - Отделение нанотехнологий и информационных технологий (наноэлектроника) Академик РАН c 15.11.2019 - Отделение нанотехнологий и информационных технологий (нанотехнологии)